1.一种超低比导通电阻的LDMOS器件，其特征在于，包括绝缘层（14）、位于绝缘层（14）上方的重掺杂的第一种掺杂类型的半导体（15）、分别位于所述半导体（15）上表面的耐压层+（2）、重掺杂的第一种导电类型的漏极连通区（12）、氧化层（3）和N多晶硅分立栅（4）、位于+所述氧化层（3）上方的N多晶硅栅（10）、位于所述耐压层（2）上方的第二种掺杂类型的沟道体区（5）、位于所述第二种掺杂类型的沟道体区（5）上方且重掺杂的第一种掺杂类型的源极+欧姆接触区（6）、分别覆盖于源极欧姆接触区（6）、栅氧化层（11）、氧化层（3）、N 多晶硅栅+（10）以及N 多晶硅分立栅（4）上的钝化层（9）、设置在所述沟道体区（5）内并且和源极欧姆接触区（6）接触的重掺杂的第二种掺杂类型的体接触区（7）以及设置在所述钝化层（9）上的源极金属（8）；所述耐压层（2）沿其纵向为线性变掺杂，且其掺杂由靠近该器件的表面到衬底线性增大；

所述源极金属（8）分别和所述源极欧姆接触区（6）以及所述体接触区（7）接触，所述栅+氧化层（11）设置在所述N多晶硅栅（10）和半导体区域之间，且所述栅氧化层（11）分别与所述氧化层（3）、沟道体区（5）、耐压层（2）及源极欧姆接触区（6）相接触，所述源极金属（8）还和所述多晶硅分立栅（4）接触，所述钝化层（9）还位于所述多晶硅栅（10）和源极金属(8)之间，所述氧化层（3）的外围设置有漏极连通区（12），所述漏极连通区（12）上表面设置有源极欧姆接触区（6），且位于漏极连通区（12）上表面的源极欧姆接触区（6）的上方设置有漏极金属（13）。

2.一种根据权利要求1所述的超低比导通电阻的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：首先在第一种或者第二种导电类型的起始半导体区（1）上进行一次外延，然后进行第一次第一种导电类型的离子注入；

S2：重复S1中外延和第一种导电类型的离子注入直至第N次外延和第N次第一种导电类型的离子注入完成，且N不小于2；

S3：光刻曝光刻槽区域，采用干法刻蚀一部分硅，刻蚀深度在1‑2um之间；随后淀积一层薄SiN，并对该SiN进行干法刻蚀，其刻蚀厚度不小于淀积的SiN的厚度，但保留槽侧壁的SiN不被刻蚀；

S4：继续干法刻蚀硅直至刻蚀深度达到所述第一种或者第二种导电类型的起始半导体区（1），离子注入第一种导电类型杂质形成重掺杂区域，该区域即为半导体（15）；去除光刻胶；然后，光刻曝光，采用斜角离子注入第一种导电类型杂质，在刻蚀出的深槽的一侧壁形成第一种导电类型的重掺杂区域，该区域即为漏极连通区（12）；

S5：通过热氧化形成氧化层（3），去除掩膜层以及去除侧壁SiN；再进行第二种导电类型的离子注入形成沟道体区（5），同时，在热氧化过程中第一种导电类型杂质区域扩散覆盖掉原来的起始半导体区（1），同时重掺杂区域通过扩散将多次外延的区域变成一个整体的漏极连通区（12）；并且，S2中通过多次离子注入的杂质扩散形成掺杂由表面向下线性增加的耐压层（2）；

+ +

S6：通过热氧化形成30nm‑100nm的牺牲氧化层，然后淀积N多晶硅分立栅（4），并刻蚀N多晶硅分立栅（4）直至牺牲氧化层和氧化层（3）裸露出来；

+ +

S7: 刻蚀牺牲氧化层，然后热氧形成栅氧化层（11）；淀积N 多晶硅栅（10），刻蚀N多晶硅栅（10）直至体区（5）表面的栅氧化层（11）裸露出来；随后重掺杂的第一种导电类型的离子注入形成源极欧姆接触区（6）；

S8：淀积钝化层（9）并光刻曝光，分别通过干法刻蚀钝化层（9）、刻蚀栅氧化层（11）及刻蚀硅，刻蚀硅深度0.3‑1um，然后重掺杂的第二种导电类型的离子注入形成体接触区（7）；

S9：淀积金属，并和源极欧姆接触区（6）、体接触区（7）以及位于漏极连通区（12）上表面的源极欧姆接触区（6）接触；然后，光刻曝光，刻蚀金属，形成源极金属（8）和漏极金属（13），退火形成合金。

3.根据权利要求2所述的超低比导通电阻的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在第一种导电类型或者第二种的起始半导体区（1）上进行一次外延；

S2：进行N次不同注入能量和剂量的第一种导电类型的离子注入；且第一次注入的能量和剂量到第N次注入的能量和剂量逐渐降低；

S3：光刻曝光刻槽区域，采用干法刻蚀一部分硅，刻蚀深度在1‑2um之间；随后淀积一层薄SiN，并对该SiN进行干法刻蚀，其刻蚀厚度不小于淀积的SiN的厚度，但保留槽侧壁的SiN不被刻蚀；

S4：继续干法刻蚀硅直至刻蚀深度达到所述第一种导电类型或者第二种的起始半导体区（1），离子注入第一种导电类型杂质形成重掺杂区域，该区域即为半导体（15）；去除光刻胶；然后，光刻曝光，采用斜角离子注入第一种导电类型杂质，在刻蚀出的深槽的一侧壁形成第一种导电类型的重掺杂区域，该区域即为漏极连通区（12）；

S5：通过热氧化形成氧化层（3），去除掩膜层以及去除侧壁SiN；再进行第二种导电类型的离子注入形成沟道体区（5），同时，在热氧化过程中重掺杂的第一种掺杂类型的半导体(15)扩散覆盖掉原来的起始半导体区（1），同时重掺杂区域通过扩散将多次外延的区域变成一个整体的漏极连通区（12）；并且，S2中通过多次离子注入的杂质扩散形成掺杂由表面向下线性增加的耐压层（2）；

+ +

S6：通过热氧化形成30nm‑100nm的牺牲氧化层，然后淀积N多晶硅分立栅（4），并刻蚀N多晶硅分立栅（4）直至牺牲氧化层和氧化层（3）裸露出来；

+ +

S7: 刻蚀牺牲氧化层，然后热氧形成栅氧化层（11）；淀积N 多晶硅栅（10），刻蚀N多晶硅栅（10）直至体区（5）表面的栅氧化层（11）裸露出来；随后重掺杂的第一种导电类型的离子注入形成源极欧姆接触区（6）；

S8：淀积钝化层（9）并光刻曝光，分别通过干法刻蚀钝化层（9）、刻蚀栅氧化层（11）及刻蚀硅，刻蚀硅深度0.3‑1um，然后重掺杂的第二种导电类型的离子注入形成体接触区（7）；

S9：淀积金属，并和源极欧姆接触区（6）、体接触区（7）以及位于漏极连通区（12）上表面的源极欧姆接触区（6）接触；然后，光刻曝光，刻蚀金属，形成源极金属（8）和漏极金属（13），退火形成合金。