1.一种基于宽禁带异质结构的平面变压器，其特征在于，包括：器件工艺和铟柱的制备工艺，

器件工艺分五大步：

第一步采用对器件表面进行清洗，清洗方法是先依次采用丙酮、 酒精、去离子水各超声5分钟，然后采用1号液APM：NH4OH:H2O2:DI=1:5:30 ，超声10分钟，然后用2号液HPM：HCl:H2O2:DI=1:4:20，超声10分钟，然后再次依次采用丙酮、 酒精、去离子水各超声5分钟，最后氮气吹干后立即在110℃热台上烘烤5分钟备用，第二步是刻蚀，使用淀积工艺在AlGaN材料表面制备介质层，使用常规光刻或电子束工艺，通过旋涂光刻胶、曝光、显影，在介质层表面形成刻蚀图形；使用干法刻蚀工艺刻蚀介质层形成介质掩膜图形；使用丙酮、酒精超声去除光刻胶，使用感应耦合等离子体刻蚀台在氧气和氩气的混合气体下预刻蚀GaN；使用感应耦合等离子体刻蚀台在氯气和氮气的混合气体下刻蚀AlGaN，达到所需刻蚀深度，使用干法刻蚀工艺去除剩余介质层，第三步是填充绝缘体，将绝缘体填充到刻蚀的部位，第四步在器件上使用物理气相淀积蒸镀电极，

第五步是利用铟柱进行互联，并在铟柱上进行微加工镀上一层绝缘体；

其中铟柱的制备工艺如下：

采用剥离法，

第一步：涂胶，胶膜均匀，要大于铟膜的厚度，与金属薄膜的粘附性好，无灰尘和夹杂物，第二步：前烘，温度80 100°C，时间30分钟，~

第三步：曝光和显影，检查图形是否完整，套准是否准确，胶膜有没有发生浮胶、起皱、划伤，底膜是否去干净，第四步：剥离，用有机溶剂充分浸泡后，再用小功率的超声波进行剥离，即铟柱制备完成。

2.根据权利要求1所述的一种基于宽禁带异质结构的平面变压器，其特征在于，所述AlGaN可做到10nm 30nm，所述GaN可做到500nm 3μm。

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3.根据权利要求1所述的一种基于宽禁带异质结构的平面变压器，其特征在于，所述绝缘体是100nm 10μm。

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