1.利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，采用“级联”弧放电等离子体设备作为制备的装置，其特征在于制备的流程包括五个步骤；步骤（1）将块状金属样品经机械抛光至镜面，依次使用去离子水、乙醇和丙酮进行超声清洗，烘干后放入等离子体设备的靶室内；步骤（2）将“级联”弧放电等离子体设备抽真空，然后通入Ar气，对样品表面进行溅射清洗，溅射清洗轰击一段时间，再通入He气，调节等离子体设备的放电电流，通过等离子体设备用高能He气离子轰击金属样品基体一段时间，活化金属样品表面生成金属单质纳米绒毛基底；步骤（3）在步骤（2）进行中，调节等离子体放电条件，得到等离子体的通量密度

22 −2 −1

≥10  m s ，满足步骤2实际工况；步骤（4）把步骤(2)得到的具有金属单质纳米绒毛基底结构的金属样品通过步骤（3）所述的氮气等离子体处理后，样品表面将生成纳米氮化物薄层，处理一段时间，得到纳米氮化物薄层；步骤（5）关闭弧放电等离子体设备的电源，待真空室温度降至室温，打开真空室取出样品，在样品表面形成的涂层，即为纳米结构氮化物薄膜成品。

2.根据权利要求1所述的利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中的金属样品是Mo、W、Ta、V、Nb和Cr中的一种，优选采用W，清洗的时间在

20～30min之间。

3.根据权利要求1所述的利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中，放电等离子体设备内背景真空度≤0.1 Pa。

4.根据权利要求1所述的利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中，通入的Ar气在200～300sccm之间，溅射清洗轰击时间在5～10min之间，通入的He气在2000～5000sccm之间，等离子体设备的放电电流在60～150A之间，高能He气离子轰击金属样品基体时间>5min，生成的金属单质纳米绒毛基底尺寸为30 100nm之间~

可控。

5.根据权利要求1所述的利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，步骤（3）中等离子体放电条件调节如下，等离子体放电功率≥10kW，等离子体约束磁场≥0.12T，样品偏压‑40～‑80V之间。

6.根据权利要求1所述的利用等离子体制备纳米结构过渡金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，步骤（4）中，样品表面将生成的纳米氮化物薄层处理，处理时间＞5分钟，得到的纳米氮化物薄层厚度为30 100 nm之间可调。

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