1.一种一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，包括：

在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，所述非晶硅生长窗口由所述硅波导区的上表面蚀刻形成；所述非晶硅生长窗口的底部还开设有辅助窗口，所述辅助窗口由所述非晶硅生长窗口的底部蚀刻形成；所述辅助窗口的宽度小于非晶硅生长窗口的宽度或所述辅助窗口上表面的宽度与非晶硅生长窗口的宽度相同；所述辅助窗口用于增加非晶硅生长窗口的纵深，从而加强非晶硅生长窗口中由非晶硅转化的单晶硅对硅波导区的拉应力的不对称度；

在所述非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；

以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口使所述非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。

2.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口呈矩形，所述辅助窗口也呈矩形；所述辅助窗口的宽度小于所述非晶硅生长窗口的宽度，所述辅助窗口的长度与所述非晶硅生长窗口的长度相同。

3.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口呈矩形，所述辅助窗口呈梯台状；所述辅助窗口的长度与所述非晶硅生长窗口的长度相同，所述辅助窗口上表面的宽度与所述非晶硅生长窗口的宽度相同，所述辅助窗口下表面的宽度小于所述非晶硅生长窗口的宽度。

4.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口呈矩形，所述辅助窗口呈倒三角状；所述辅助窗口的长度与所述非晶硅生长窗口的长度相同，所述辅助窗口上表面的宽度与所述非晶硅生长窗口的宽度相同，所述辅助窗口的底部为钝角。

5.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口呈圆形，所述辅助窗口的内壁呈球面状；所述辅助窗口的边缘与所述非晶硅生长窗口的下部边缘连接。

6.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口位于所述硅波导区中间位置，所述非晶硅生长窗口的宽度小于所述硅波导区的宽度。

7.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，沿所述硅波导区的长度方向，所述非晶硅生长窗口呈线性阵列分布。

8.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述一阶电光效应硅调制器的制备工艺还包括：所述硅波导区的两侧均设置有slab区，两侧的所述slab区均与所述硅波导区相连；其中，两侧的所述slab区的厚度均小于所述硅波导区的厚度。

9.根据权利要求8所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，两侧的所述slab区的厚度均为60nm，所述硅波导区的厚度为220nm。

10.一种一阶电光效应硅调制器，其特征在于，根据如权利要求1 9任一项所述的一阶~

电光效应硅调制器的制备工艺制备得到。