1.一种应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，所述非晶硅生长窗口由所述硅波导区的上表面蚀刻形成；所述非晶硅生长窗口均呈矩形，且所述非晶硅生长窗口在所述硅波导区呈矩形阵列分布；

在所述非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；

以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口使所述非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅；

其中，沿所述硅波导区的长度方向，相邻两所述非晶硅生长窗口的间距为w1，所述非晶硅生长窗口的长度为w2，该方向的应变数值为沿所述硅波导区的宽度方向，相邻两所述非晶硅生长窗口的间距为w3，所述非晶硅生长窗口的宽度为w4，该方向的应变数值为所述非晶硅生长窗口的深度为d1，所述硅波导区的厚度为d2，该方向的应变数值为

2.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，w2大于w1，w4大于w3。

3.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，w2大于w1的两倍，w4大于w3的1.5倍，d1大于d2的二分之一。

4.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，所述非晶硅生长窗口的矩形阵列方向分别沿所述硅波导区的宽度方向和长度方向设置。

5.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅生长窗口中沉积非晶硅时，采用CVD法于150℃‑350℃在所述非晶硅生长窗中淀积形成非晶硅薄膜。

6.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口时，采用波长为488nm的氩离子大功率激光器进行辐照，使所述非晶硅生长窗口中的非晶硅的温度超过1420k以对非晶硅进行退火。

7.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，所述应力可控的应力硅的制备方法还包括：所述硅波导区的两侧均设置有slab区，两侧的所述slab区均与所述硅波导区相连；其中，两侧的所述slab区的厚度均小于所述硅波导区的厚度。

8.根据权利要求7所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，两侧的所述slab区的厚度均为60nm，所述硅波导区的厚度为220nm。

9.根据权利要求1所述的应力可控的应力硅的制备方法，其特征在于，以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口时，采用波长为488nm的氩离子大功率激光器进行辐照。

10.一种应力可控的应力硅，其特征在于，根据如权利要求1～9任一项所述的应力可控的应力硅的制备方法制备得到。