1.一种银微米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，该银微米颗粒阵列由位于导电衬底上的多个银微米颗粒组成，所述银微米颗粒为直径1000‑10000nm的半球形，半球形的平面与导电衬底连接；

所述银微米颗粒的表面沿径向生长有独立的银纳米片、粗糙银纳米棒和银树枝晶；

所述银纳米片为近半圆形，厚度为10‑30nm、半圆形片的半径为40‑300nm；

所述粗糙银纳米棒中棒体表面沿周向生长有第一锥状凸起，整体呈狼牙棒状，所述棒体的直径为100‑300nm、长度为500‑1500nm，所述第一锥状凸起的长度为10‑120nm，底部直径为30‑100nm、尖端直径为10‑30nm；

所述银树枝晶中沿枝干的轴向布置有两排第二锥状凸起，整体呈衫叶状，所述第二锥状凸起沿枝干的周向生长，所述枝干的长度为500‑3000nm，第二锥状凸起的长度为50‑

500nm、底部直径为30‑120nm、尖端直径为20‑50nm；

其制备方法包括如下步骤：

步骤S1，称取重量比为(0.07‑0.35):(0.02‑0.07):(0.01‑0.05):(1.0‑3.2):(75‑125)的硝酸银粉末、聚乙烯吡咯烷酮粉末、四氧化三铁粉末、柠檬酸粉末和水，将硝酸银粉末、聚乙烯吡咯烷酮粉末、四氧化三铁粉末和柠檬酸粉末溶解于水中，得到混合液，将混合液加热至30‑40℃并保温0.5‑2h，得到电解液；

步骤S2，将导电衬底作为阴极、石墨片作为阳极，一起置于温度为30‑40℃的步骤S1制2

备的电解液中，于电流密度为100‑500μA/cm的恒定电流下电沉积0.2‑2h，得到其上覆有银微米颗粒的导电衬底；

2

步骤S3，调整电流密度为700‑1500μA/cm ，在该恒定电流下电沉积1‑5min，清洗后得到表面长有银纳米树枝晶、粗糙银纳米棒和纳米片的银微米颗粒阵列。

2.根据权利要求1所述的银微米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述导电衬底的材质为半导体或导体。

3.根据权利要求2所述的银微米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，所述半导体为单晶硅片导电衬底，所述导体为氧化铟锡玻璃或掺杂氟氧化锡玻璃。

4.根据权利要求1所述的银微米颗粒阵列的制备方法，其特征在于，步骤S2所述的导电衬底在沉积前依次用丙酮、乙醇和去离子水进行清洗。

5.一种权利要求1‑4任意一项所述银微米颗粒阵列的制备方法制得的银微米颗粒阵列作为表面增强拉曼散射活性基底的用途。

6.根据权利要求5所述的银微米颗粒阵列的用途，其特征在于，所述银微米颗粒阵列作为表面增强拉曼散射活性基底时，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的染料分子罗丹明

6G，激光拉曼光谱仪的激发光的波长为532nm或514nm、功率为0.05‑1mW、积分时间为1‑20s，测量其上附着的染料分子罗丹明6G。