1.一种单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，包括DNA修饰腔、DNA检测腔、电场电极及信号处理终端；

所述DNA检测腔包括单层膜双纳米孔芯片；

所述DNA修饰腔，用于对待测DNA加装探针及在所述待测DNA的尾端连接磁性小球，所述磁性小球的直径大于所述单层膜双纳米孔芯片上的纳米孔A的孔径；

所述电场电极，用于在所述DNA检测腔内生成外加电场，使加装所述探针及所述磁性小球的待测DNA的首端从所述单层膜双纳米芯片的正面先穿过所述纳米孔A到达所述单层膜双纳米芯片的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，完成一次所述待测DNA过孔检测，且在完成单次所述DNA过孔检测后，关闭所述电场电极，使所述待测DNA回缩；

所述信号处理终端，用于收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号，并通过所述纳米孔电信号确定DNA检测结果。

2.如权利要求1所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述DNA检测腔包括双通道微流控组件；

所述双通道微流控组件包括导流沟道，所述导流沟道与所述单层膜双纳米孔芯片围成导流管；

所述导流管分别将纳米孔A及纳米孔B与所述DNA修饰腔连接。

3.如权利要求1所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述单层膜双纳米孔芯片从下至上依次包括硅基体、氮化硅层及保护层；

所述硅基体包括基体通孔，所述保护层包括两个保护通孔；

所述基体通孔与所述氮化硅层组成下方凹槽，所述保护通孔与所述氮化硅层组成两个上方凹槽；

所述纳米孔A及所述纳米孔B分别位于两个上方凹槽的底部，且位于所述下方凹槽的底部。

4.如权利要求3所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述单层膜双纳米孔芯片的制造方法包括：清洗所述硅基体；

在清洗后的硅基体正面依次设置所述氮化硅层及所述保护层；

分别对所述硅基体的背面及所述保护层进行光刻及刻蚀，得到图形化的基体通孔及图形化的保护通孔；

通过透射电子显微镜刻蚀所述氮化硅层，得到所述纳米孔A及纳米孔B。

5.如权利要求1所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述电场电极包括入口电极、底面电极及出口电极；

所述入口电极设置于所述纳米孔A处；

所述底面电极设置于所述单层膜双纳米孔芯片的下方，且与所述纳米孔A及纳米孔B的位置对应；

所述出口电极设置于所述纳米孔B处；

所述入口电极的电位、所述底面电极的电位及所述出口电极的电位依次升高。

6.如权利要求5所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述DNA检测腔包括电极槽组件；

所述电极槽组件包括电极沟道，所述电极沟道与所述单层膜双纳米孔芯片围成电极腔；

所述底面电极设置于所述电极腔内。

7.如权利要求1所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述纳米孔A及所述纳米孔B的孔径的范围为1纳米至10纳米，包括端点值。

8.如权利要求7所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述磁性小球的直径的范围为70纳米至200纳米，包括端点值。

9.如权利要求1所述的单层膜双纳米孔DNA检测设备，其特征在于，所述纳米孔A与所述纳米孔B的间距的范围为0.5微米至10微米，包括端点值。

10.一种单层膜双纳米孔DNA检测方法，其特征在于，包括：获取待装探针列表，并在待测DNA的尾端连接磁性小球；

根据所述待装探针列表，为所述待测DNA加装第一探针；

通过外加电场使所述待测DNA的首端从单层膜双纳米孔芯片的正面先穿过纳米孔A到达所述单层膜的背面，再从所述背面穿过纳米孔B，并收集所述待测DNA穿过所述纳米孔A及所述纳米孔B时的纳米孔电信号；其中，所述磁性小球的直径大于所述纳米孔A的孔径；

关闭所述外加电场，使所述待测DNA回缩，并洗去所述第一探针；

根据所述探针列表，循环加装探针至洗去探针的步骤，得到所述探针列表对应的纳米孔信号集；

根据所述纳米孔信号集，确定DNA检测结果。