1.一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.选择承载膜(1)，所述承载膜(1)包括自上而下顺次设置的保护膜层(101)、临时键合胶层(102)以及薄膜拉伸层(103)，撕开保护膜层(101)，将芯片(3)转移到临时键合胶层(102)；

S20.沿X方向拉伸承载膜(1)，直至X方向芯片(3)间距扩张至设定值；沿Y方向拉伸承载膜(1)，直至Y方向芯片(3)间距扩张至设定值；

S30.激光(12)照射临时键合胶层(102)，被照射处的临时键合胶失效，芯片(3)脱离临时键合胶层(102)并转移至承载基板(4)的焊盘(5)上，完成单种类型芯片(3)的巨量转移；

S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片(3)的巨量转移；

步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片(3)间距进行实时同步检测；对芯片(3)间距存在偏差的区域，局部修正芯片(3)在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片(3)间距达到所需间距；

步骤S20中，在拉伸扩张过程中，对承载膜(1)进行整体加热以增加承载膜(1)的柔性；

对于芯片(3)间距存在偏差的区域，对承载膜(1)的温度场进行局部调节，改变承载膜(1)的局部性能，修正芯片(3)在阵列中的位置及间距误差；

对于芯片(3)间距偏小、阵列密度偏大的区域，采用局部加热的方法进行调节；同时，可对芯片(3)间距偏小、阵列密度偏大的区域吹入腐蚀性气体，以减薄承载膜(1)的厚度；对于芯片(3)间距偏大、阵列密度偏小的区域，采用局部降温的方法进行调节。

2.根据权利要求1所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，所述薄膜拉伸层(103)内嵌有呈网格排布的高分子弹性材料，所述高分子弹性材料将承载膜(1)划分为设有多个规整排列节点(105)的区域。

3.根据权利要求2所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S20中，使用阵列式夹头(7)夹取承载膜(1)进行拉伸扩张，所述阵列式夹头(7)夹于高分子弹性材料的节点(105)处，所述阵列式夹头(7)为点状或长条状，所述阵列式夹头(7)通过定间距阵列式桁架结构(8)进行连接。

4.根据权利要求1所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S20中，沿X方向将一张承载膜(1)划分为多个区域，分别对不同区域的芯片(3)沿X向进行拉伸扩张至设定值，依次将不同区域拉伸扩张后的芯片(3)转移至另一张承载膜(1)上；对另一张承载膜(1)沿Y向进行拉伸扩张。

5.根据权利要求1所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，在步骤S10之后，在步骤S20之前，对承载膜(1)进行预拉伸，通过预拉伸掌握承载膜(1)各区域的变形量分布，选用均匀变形的承载膜(1)。

6.根据权利要求1所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，重复S10的步骤，得到多张承载有芯片(3)的承载膜(1)；多张承载膜(1)对齐堆叠放置，将多张承载膜(1)压紧，对堆叠完成的承载膜(1)进行边缘密封避免空气进入；步骤S20中，在拉伸扩张过程中，对承载膜(1)进行加热以增加承载膜(1)的柔性。

7.根据权利要求6所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，对于芯片(3)间距存在偏差的区域，对承载膜(1)的温度场进行局部调节，改变承载膜(1)的局部性能，修正芯片(3)在阵列中的位置及间距误差。

8.根据权利要求7所述的等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，对于芯片(3)间距存在偏差的区域，使用热量可调的红外定向辐射器(9)修正芯片(3)在阵列中的位置及间距误差：对于扩张不足区域内中部芯片(3)间距小、四周芯片(3)间距大的情况，采用中间温度高、四周温度低的圆形热源加热；针对两列或两行之间芯片(3)间距不足的情况，采用条形热源加热；针对两芯片(3)之间间距较小的情况，采用点状热源；对于芯片(3)间距偏大的区域，通过定向通入冷空气气流、或定向滴加挥发性介质，降低局部温度以延缓承载膜(1)的扩张。