1.一种In2O3/α‑Fe2O3纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，a1：按照5/100～8/100的质量比，称取水合硝酸铁和N,N‑二甲基甲酰胺置于器皿中，然后搅拌，直至硝酸铁完全溶解，获得第一混合液；

a2：以步骤a1中的水合硝酸铁为基准，按照4：1的摩尔比，称取水合硝酸铟加入所述第一混合液中，室温下搅拌，直至硝酸铟完全溶解，获得第二混合液；

a3：以步骤a1中的N,N‑二甲基甲酰胺为基准，按照10/100～20/100的质量比，称取聚乙烯吡咯烷酮加入所述第二混合液中，室温下搅拌，最终得到红棕色、粘性的第三混合液；

a4：利用第三混合液进行静电纺丝获得静电纺丝无纺布膜，取下所述静电纺丝无纺布膜放入马弗炉中煅烧；马弗炉设置升温速率为2～10℃/min，升温至600～800℃后，保温2～

3h；待温度自然冷却后，即可得到In2O3/α‑Fe2O3纳米线粉末状样品。

2.如权利要求1所述的In2O3/α‑Fe2O3纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤a4中静电纺丝的具体操作如下：准备注射器，所述注射器的针头为静电纺丝专用针头；准备接收滚筒，所述接收滚筒用来接收无纺布膜；将步骤a4所得第三溶液转移到所述注射器中，进行静电纺丝。

3.如权利要求1或2所述的制备方法制得的In2O3/α‑Fe2O3纳米线。

4.如权利要求3所述的In2O3/α‑Fe2O3纳米线，其特征在于，所述In2O3/α‑Fe2O3纳米线的直径为50nm～100nm。

5.一种三乙胺传感器，包括传感器载体，其特征在于，所述传感器载体的电极上覆盖有半导体敏感材料层(2)，所述敏感材料薄膜(2)由如权利要求3所述的In2O3/α‑Fe2O3纳米线和去离子水按照2～5：1的比例混合研磨后覆盖在所述传感器载体的外表面制得。

6.如权利要求5所述的三乙胺传感器，其特征在于，所述传感器载体包括Al2O3陶瓷管(1)、设置于Al2O3陶瓷管(1)两端的环形金电极(3)和焊接在环形金电极上的铂线(4)，所述半导体敏感材料层(2)覆盖在所述环形金电极(3)上。

7.如权利要求6所述的三乙胺传感器，其特征在于，所述传感器载体还包括加热丝(5)，所述加热丝(5)穿过所述Al2O3陶瓷管(1)。

8.如权利要求6所述的三乙胺传感器，其特征在于，所述半导体敏感材料层(2)延伸至覆盖所述Al2O3陶瓷管(1)的外表面。

9.一种三乙胺传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，b1：准备具备气体传感器功能的传感器载体；

b2：将如权利要求3所述In2O3/α‑Fe2O3纳米线和去离子水按照2～5：1的比例混合，研磨混合物，制得包含In2O3/α‑Fe2O3纳米线的浆糊状的第四混合液；

b3：将第四混合液均匀、完整的覆盖在所述传感器载体的外表面，确保所述第四混合液完全覆盖住所述传感器载体的电极，形成10μm～30μm的敏感材料薄膜；

b4：将涂有敏感材料薄膜的传感器载体置于红外灯下烘烤20min～30min，在再在150℃～200℃下煅烧2h～3h，得到了所述三乙胺传感器。

10.如权利要求9所述的三乙胺传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤b1具备气体传感器功能的传感器载体为管式气体传感器。