1.一种高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以B4C粉、HfSi2粉、SiCnw为原料，将所述原料采用机械混粉方法制得混合粉末，对混合粉末进行压力烧结，即得碳化硼基复合陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述原料的质量百分比为：HfSi2粉40‑45％，SiCnw0.88‑4.45％，余量为B4C粉；优选地，HfSi2粉质量百分比为42.34‑43.92％。

3.根据权利要求1或2所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述B4C粉的粒径为0.5‑5μm，纯度≥97％；优选地，所述HfSi2粉的粒径为0.5‑10μm，纯度≥

98％；优选地，所述SiCnw的纯度≥98％，直径为0.1‑0.6μm，长度为50‑100μm。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述压力烧结为放电等离子烧结；所述放电等离子烧结的具体参数为：烧结真空度＜

20Pa，烧结温度为1600℃‑1750℃，烧结压力为45‑55MPa，保温时间为8‑15min。

5.根据权利要求4所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，在放电等离子烧结过程中采用梯度升温的方式，将温度升至烧结温度；具体为，以80℃/min‑100℃/min的升温速率，升温至650‑800℃，保温5‑10min；保持该升温速率继续升温至1400‑

1500℃；然后以20‑50℃/min升温速率，升温至烧结温度，保温8‑15min。

6.根据权利要求4或5所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，在放电等离子烧结过程中逐步加压至烧结压力，具体为，初始压力为1‑3MPa，当温度升至

650‑800℃时，加压至10‑15MPa；当温度升至1400‑1500℃时，加压至烧结压力；优选地，烧结保温完成后以30‑50MPa/min的速率降压至0MPa，随炉冷却。

7.根据权利要求1‑6任一项所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述机械混粉方法为湿法或干法球磨。

8.根据权利要求7所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述湿法球磨具体包括如下步骤：(1)将B4C粉、HfSi2粉放入球磨机中，以无水乙醇为介质湿磨8‑

10h；其中，球磨转速为300‑400r/min，球料比为4‑5:1；(2)加入超声分散后的SiCnw，在球磨转速为150‑200r/min条件下，继续湿磨1‑2h；优选地，超声分散SiCnw时，以去离子水为分散介质，六偏磷酸钠为分散剂，超声分散30‑60min；所述分散剂加入的质量为SiCnw质量的4‑

6％。

9.根据权利要求7或8所述的高性能碳化硼基复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于，湿法球磨后，进行干燥、过筛处理；干燥温度为40‑55℃，干燥时间为10‑15h；过筛时，筛网目数为180‑240目。

10.一种高性能碳化硼基复合陶瓷材料，其特征在于，所述高性能碳化硼基复合陶瓷材料根据权利要求1‑9任一项所述方法制备得到。