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专利号: 2021110058649
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)在去离子水中依次加入表面活性剂和碳化硼粉体,混合均匀得碳化硼悬浮液,然后向碳化硼悬浮液中加入氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体,搅拌、超声、冷冻干燥得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼复合粉体,其中:所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵或十六烷基三甲基氯化铵;按质量百分比计,所述氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体占所述碳化硼粉体和氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体总质量的1~4%;所述氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体为氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管形成的杂化结构;

(2)将步骤(1)所得氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼复合粉体置于氩气气氛下热压烧结,然后随炉冷却至室温,得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,碳化硼粉体和表面活性剂的质量比为(190~400):1。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,碳化硼粉体的平均粒径为1~10μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,表面活性剂在去离子水中的质量浓度为0.25~0.5mg/mL。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,搅拌时间为1~2h;超声时间为1~2h;冷冻干燥时间为24~48h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,热压烧结温度为1850~1950℃,烧结压力为30~50MPa,烧结时间为30~60min。

7.一种权利要求1‑6任一项所述的制备方法制备得到的氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料。