1.一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件分为：

1)器件上面部分，包括：栅氧化层(6)、栅氧化层(6)外侧部分和栅氧化层(6)内侧部分；

栅氧化层(6)外侧部分：从左至右依次是源极P+区(1)、源极N+区(2)、P‑body(3)、漂移区(4)和漏极N+区(5)；所述源极P+区(1)和源极N+区(2)位于整个器件的左上区域，被P‑body(3)包围；P‑body(3)的右侧与漂移区(4)的左侧接触；漏极N+区(5)位于整个器件的右上区域，左边和下边被漂移区(4)所包围；

栅氧化层(6)内侧部分：从左至右依次是栅极P+区(12)、栅极P‑body(13)、控制结构的漂移区(9)、控制结构的漏极N+区(8)和控制结构的漏极P+区(7)；所述栅极P+区(12)的右侧和栅极P‑body(13)的左侧相接触；栅极P‑body(13)的右侧和控制结构的漂移区(9)的左侧相接触；控制结构的漏极N+区(8)位于器件的右上区域，被控制结构的漂移区(9)所包围，同时控制结构的漏极N+区(8)的右上角也包围着控制结构的漏极P+区(7)；

2)器件底部部分：由衬底(11)组成，位于器件上面部分之下。

2.根据权利要求1所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件还包括在漂移区(4)或控制结构的漂移区(9)增加P型区或超结P型区。

3.根据权利要求1所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，所述栅氧化层(6)外侧部分还包括：表面栅氧化层(16)，位于源极N+区(2)和漂移区(4)之间的P‑body(3)的上表面，并连接栅极P+区(12)。

4.根据权利要求1所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，将控制结构的漏极P+区(7)延伸到栅氧化层(6)的外侧部分，形成漏极P+区(17)，使得漏极N+区(5)与漏极P+区(17)直接接触。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，所述栅氧化层(6)内侧部分的Z方向宽度和厚度根据需要改变。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件是N型LDMOS器件，能对应切换成P型LDMOS器件。

7.根据权利要求1～4中任意一项所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件结构适用于VDMOS器件和IGBT器件。

8.根据权利要求1～4中任意一项所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件结构能将栅氧化层(6)的内侧部分与外侧部分结构调换，使得LDMOS器件结构位于栅氧化层(6)内侧，栅极控制结构位于栅氧化层(6)外侧。

9.根据权利要求1～4中任意一项所述的鳍式EAFin‑LDMOS器件，其特征在于，该器件还包括：器件中间部分，由埋氧层(10)组成，位于器件上面部分之下，位于器件底部部分之上。