1.一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件，其特征在于：包括源极接触区(1)、源极P+区(2)、N型漂移区(3)、场氧化层(4)、二氧化硅介质区(5)、漏极接触区(6)、漏极N+区(7)、埋氧层(8)、衬底(9)、体内栅氧化层(10)、P-body(11)、体内栅接触区(12)和源极N+区(13)；所述源极接触区(1)位于源极N+区(13)、源极P+区(2)的上方，源极接触区(1)的右侧紧邻场氧化层(4)的左侧；所述源极P+区(2)的上侧与源极接触区(1)的下侧接壤，源极P+区(2)的下侧、左侧与源极N+区(13)接触，同时，源极P+区(2)右侧与P-body(11)左侧的一部分接触；所述N型漂移区(3)的上侧紧邻二氧化硅介质区(5)的下侧，其左侧与P-body(11)的右下侧接触，右侧与漏极N+区(7)的左下侧相邻，下侧与埋氧层(8)上侧接触；所述场氧化层(4)位于P-body(11)和二氧化硅介质区(5)的上侧，右侧紧邻漏极接触区(6)的左侧，左侧与源极接触区(1)的右侧接触；所述二氧化硅介质区(5)下侧与N型漂移区(3)的上侧接触，左侧与P-body(11)右上侧相邻，右侧紧邻漏极N+区(7)的左上侧，同时，上侧与场氧化层(4)的下侧接触；所述漏极接触区(6)位于漏极N+区(7)的正上方，漏极接触区(6)左侧紧邻场氧化层(4)的右侧；所述漏极N+区(7)位于漏极接触区(6)的正下方，同时，其左边与二氧化硅介质区(5)和N型漂移区(3)的右边接触，漏极N+区(7)的下边与埋氧层(8)的上右边相邻；所述埋氧层(8)下边紧邻衬底(9)的上边，埋氧层(8)的上边与漏极N+区(7)、N型漂移区(3)下边相邻，同时，埋氧层(8)的上左边紧邻体内栅接触区(12)的下边，左上边与体内栅氧化层(10)、体内栅接触区(12)右边接触；所述衬底(9)上侧与埋氧层(8)下侧接触，其位于器件的底部；所述体内栅氧化层(10)的下边与体内栅接触区(12)的上边接触，其右侧还与埋氧层(8)接触，同时，体内栅氧化层(10)的上边与源极N+区(13)、P-body(11)的下边接触；所述P-body(11)的左侧与源极N+区(13)、源极P+区(2)的右侧接触，同时，其上侧紧邻场氧化层(4)的下左侧，下边与体内栅氧化层(10)的上右边接触；所述体内栅接触区(12)位于埋氧层(8)的上左边和体内栅氧化层(10)的下边，其右侧与埋氧层(8)接触；所述源极N+区(13)的上左边与源极接触区(1)的下边接触，源极N+区(13)的下边与体内栅氧化层(10)的上边接触，其形状为L型，同时，源极N+区(13)最右侧与P-body(11)左下侧接触，以及源极N+区(13)还与源极P+区(2)的下侧、左侧接触。

2.根据权利要求1所述的一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件，其特征在于：所述二氧化硅介质区(5)的厚度为0.2～0.8μm，能够调节。

3.根据权利要求1所述的一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件，其特征在于：所述体内栅接触区(12)为掺杂的多晶硅和金属。

4.根据权利要求1所述的一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件，其特征在于：所述N型漂移区(3)掺入N型杂质，其掺杂浓度范围为5×1015～5×1016cm-3。