1.一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶；

步骤二：将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；

步骤三：利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小理论曝光线条宽度的0.1‑0.3倍设计掩模图形；其中，理论曝光线条宽度是指按照指定占宽比根据公式[周期×(1‑占宽比)]计算得到的曝光线条宽度；

步骤四：采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影；

步骤五：利用感应耦合等离子体技术在体积比为1:4的甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP；

步骤六：利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。

2.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于，步骤一中硅基InP衬底为InP外延片，采用化学气相沉积方法制备，InP厚度为200‑600nm。

3.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于步骤一中所述电子束胶为ZEP520或其稀释液，匀胶条件为2000‑7000rpm，匀胶时间为30‑60s。

4.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于步骤二中所述前烘的条件为热板180℃，时间为3min。

5.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于步骤四中所述对衬底进行电子束曝光所使用的电子束加速电压为100kV，束流大小为10‑20nA，曝光剂量为100‑400μC。

6.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于步骤四中所述显影采用对二甲苯作为显影液，显影时间60s，采用异丙醇作为定影液，定影时间30‑60s。

7.根据权利要求1所述的一种InP基纳米周期结构的制备方法，其特征在于步骤六中所述湿法清洗是指采用二甲基乙酰胺浸泡2h。