1.一种硅基微米柱/纳米线复合结构的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1）RCA清洗法严格清洗硅片；

2) 金属辅助化学刻蚀法在硅片表面初步形成微米柱/纳米线结构；

3）旋涂化学刻蚀法在已有结构继续刻蚀，最终形成完整且层次分明的微米柱/纳米线结构；

4）酸溶液清洗刻蚀后硅片，去除表面金属颗粒。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中，RCA清洗法严格清洗硅片的具体方法如下：用氮气清理硅片表面浮尘，将硅片置于烧杯中；

H2SO4/H2O2/H2O组分清洗：将体积比为1：5：10的96wt%的H2SO4、31wt%的双氧水溶液和去离子水倒入烧杯混合，100 120℃水浴加热8 10min；

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NH3·H2O/H2O2/H2O组分清洗：将体积比为2：1：2的 29wt%的氨水溶液、31wt%的双氧水溶液和去离子水倒入烧杯混合，80 100℃水浴加热8 10min；

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HCl/ H2O2/H2O组分清洗：将体积比为2：1：2的36wt%的HCl、31wt%的双氧水溶液和去离子水倒入烧杯混合，80 100℃水浴加热8 10min；

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用去离子水反复冲洗硅片，将硅片放入丙酮溶液中，超声清洗；将硅片放入去离子水中；用氮气吹干硅片；

将硅片放入稀氢氟酸溶液中浸泡，用去离子水反复冲洗硅片，用氮气吹干；硅片封装，真空干燥。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用金属辅助化学刻蚀法在硅片表面初步形成微米柱/纳米线结构的方法具体如下：以双面抛光硅片作为生长复合结构的基底，以由高锰酸钾，硝酸银，氢氟酸组成的混合溶液为腐蚀液，将基底放入腐蚀液中进行腐蚀。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，腐蚀液中，高锰酸钾浓度为0.01~

0.09mol/L，硝酸银浓度为0.01 0.03 mol/L，氢氟酸浓度为20 24 mol/L。

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5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，腐蚀液中，高锰酸钾浓度为0.04~

0.06mol/L，硝酸银浓度为0.02 0.03 mol/L，氢氟酸浓度为23 24 mol/L。

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6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，基底放入腐蚀液中进行腐蚀时，反应温度条件为25 40℃，反应时间为25 80min。

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7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中，旋涂化学刻蚀法在已有结构继续刻蚀，最终形成完整且层次分明的微米柱/纳米线结构的方法具体如下：将已经由金属辅助化学刻蚀法腐蚀后的硅片置于旋涂仪的真空泵，向硅片上滴加氢氟酸，开启真空模式，设置转速并旋涂。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，滴加氢氟酸体积为0.001 0.2ml，浓度~为12 25 mol/L。

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9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，旋涂仪设置的旋涂转速为200 800r/~s，旋涂时间为2 5min。

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10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4）中，使用酸溶液清洗刻蚀后硅片的方法具体如下：先用去离子水反复清洗硅片，接着向硅片上滴加浓硝酸浸泡10 30min，洗去硝酸银，最~后用去离子水洗去硝酸，并用氮气吹干。