1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，通过溶液法和热退火制备Tm2O3介电层和In2O3半导体沟道层，进而制备TFT；具体工艺包括以下步骤：(1)、制备Tm2O3介电层：将Tm(NO3)3·6H2O溶于乙二醇甲醚或N,N‑二甲基甲酰胺中制备Tm2O3前驱体溶液；在低阻硅衬底表面上旋涂Tm2O3前驱体溶液，形成Tm2O3薄膜；置于烤胶台固化处理；置于马弗炉于空气气氛中退火，得到Tm2O3介电层；

(2)、制备In2O3沟道层：将In(NO3)3溶于乙二醇甲醚中制备In2O3前驱体溶液；在步骤(1)制备的Tm2O3介电层表面上旋涂In2O3前驱体溶液，形成In2O3薄膜，置于烤胶台固化处理；置于马弗炉于空气气氛中退火，得到In2O3沟道层；

(3)、制备金属源和漏电极：在In2O3沟道层上制备金属源和漏电极后，得到厚度小于

15nm的Tm2O3介电层和In2O3沟道层薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(1)涉及的Tm2O3前驱体溶液的浓度为0.1‑0.5mol/L。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(1)涉及的低阻硅通过等离子体清洗法清洗，采用氧气或氩气作为清洗气体，功率为20‑60Watt，清洗时间为

20‑200s，清洗气体的通入量为20‑50sccm。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(1)涉及的Tm2O3薄膜为高k介电层，Tm2O3薄膜样品为非晶态。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(2)涉及的In2O3前驱体溶液的浓度为0.01‑0.5mol/L。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(3)涉及的热蒸发电流为30‑50A。

7.根据权利要求1或6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(3)涉及的金属源和漏电极是厚度为50‑200nm的Al、Au或Ni金属电极。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，步骤(1)涉及的Tm2O3前驱体溶液旋涂方式与步骤(2)涉及的In2O3前驱体溶液旋涂方式相同：先在转速为400‑600转/分的条件下匀胶4‑8s，再在转速为3000‑6000转/分的条件下匀胶15‑30s，旋涂次数为1‑3次。

9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，制备的薄膜晶体管的电极沟道长宽比为1:4‑20。