1.一种石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在衬底上制备石墨烯薄膜；

S2.石墨烯薄膜图形化；

S3.在图形化后的石墨烯薄膜表面制备底电极；

S4.在底电极和石墨烯薄膜表面生长有机半导体材料，形成功能层；

S5.在功能层表面电子采用电子束蒸镀制备顶电极；

S4.在顶电极和功能层表面旋涂PMMA薄膜，形成保护层；

所述功能层位于所述底电极表面和所述石墨烯薄膜未被所述底电极覆盖的表面；所述保护层位于所述顶电极表面和所述功能层未被所述顶电极覆盖的表面；所述石墨烯薄膜上图形化有沟道，所述沟道两侧的石墨烯薄膜呈梳齿形交叉配合。

2.根据权利要求1所述的石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述衬底材料包括硅、氧化硅、玻璃或塑料；所述石墨烯薄膜的制备方法为原位生长或转移。

3.根据权利要求1所述的石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述石墨烯薄膜图形化的方法包括蒸镀、光刻、纳米压印或丝网印刷。

4.根据权利要求1所述的石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述底电极为金电极，所述底电极的制备方法为光刻或蒸镀。

5.根据权利要求1所述的石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述有机半导体材料包括P3HT或并五苯；所述有机半导体材料的生长方法包括真空蒸镀、旋涂或打印。

6.根据权利要求1所述的石墨烯增强薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S5中，所述顶电极为金电极；电子束蒸镀所述顶电极时采用漏板图形化工艺，初始10nm采用快速蒸镀。

7.一种由权利要求1‑6任一项所述的制备方法制备而成的石墨烯增强薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次设有衬底、石墨烯薄膜、底电极、功能层、顶电极和保护层。

8.根据权利要求7所述的石墨烯增强薄膜晶体管，其特征在于，所述底电极厚度为35‑

45nm，所述功能层最大厚度为50‑60nm，所述顶电极厚度45‑55nm，所述保护层最大厚度为

0.5‑20μm。

9.根据权利要求7所述的石墨烯增强薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道宽为5‑10μm。