1.一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述方法如下：(1)将泡沫铜去除油污和杂质，于空气中氧化反应后，制得泡沫Cu2O/Cu；

(2)将高铼酸铵加入水中搅拌后再加入硫脲，继续搅拌至所述高铼酸铵和硫脲溶解后获得反应液，将所述反应液于220‑240℃下水热反应18‑24h，取沉淀洗涤烘干后，制得ReS2微粒；所述高铼酸铵与硫脲的质量比为500‑550:650‑700；

(3)将步骤(2)中制备的ReS2微粒溶于水后均匀滴加到步骤(1)中制备的泡沫Cu2O/Cu2

上，烘干即可；所述泡沫Cu2O/Cu上ReS2微粒的量为2‑3mg/cm。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述泡沫铜中孔径为80‑130ppi。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述去除油污和杂质的方法如下：将泡沫铜依次放入丙酮、酒精和去离子水中分别超声清洗20‑30min，烘干即可。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述于空气中氧化反应后，制得泡沫Cu2O/Cu的方法如下：将泡沫铜放入管式炉中，控制空气流量为100‑300sccm，通过30‑

60min升温至400‑600℃后保温40‑80min，降温后即可。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述洗涤为抽滤洗涤。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(3)中，所述烘干均为：于50‑

70℃下烘干至恒重。

7.由权利要求1‑6任一项所述的方法制备的一种半导体光催化剂。

8.权利要求7所述的半导体光催化剂在光催化还原CO2中的应用。