1.基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂，其特征在于：所述的基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂是Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4/CoS2/Bi2Sn2O7；制备方法包括如下步骤：

1）Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4纳米粉末的制备：将Ga2O3固体加入到硝酸镍溶液中，产生的混合液调节pH到12，然后加入Er3+:Y3Al5O12继续搅拌20 min，得到的悬浮溶液转移到反应釜中，180 °C下反应48 h，冷却至室温，得到沉淀物用去离子水清洗，然后在80 °C下烘干8 h，得到Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4粉体，将粉体研细，在500 °C的马弗炉中，焙烧2 h，取出后再经研

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磨，即得到Er :Y3Al5O12@NiGa2O4纳米粉末；

2）Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4/CoS2制备：于Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4纳米粉末中加入适量无水乙醇，超声分散，在40-60  °C下，用磁力搅拌器混合均匀，搅拌半小时后加入CoS2粉末，然后用无水乙醇和蒸馏水清洗，离心干燥后，放入马弗炉中，在500 °C焙烧2 h后取出，研磨，得

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到Er :Y3Al5O12@NiGa2O4/CoS2纳米粉末；

3）将适量Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4/CoS2纳米粉末和Bi2Sn2O7纳米粉末加入到无水乙醇中，超声分散，所得悬浮液加热煮沸，于100℃下恒温30-40 min，过滤干燥，所得粉末研细，在马弗炉中，200 ºC煅烧2.0 h后取出，研磨，得到Er3+:Y3Al5O12@NiGa2O4/CoS2/Bi2Sn2O7。

2.如权利要求1所述的基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂，其特征在于：所述的CoS2制备方法为：将适量CoCl2和Na2S2O3溶解在去离子水中，超声30分钟，得到的悬浮溶液转移到反应釜中，200℃下反应16h，冷却至室温，得到沉淀物用去离子水清洗，然后在60℃下烘干8小时，得到CoS2粉末。

3.如权利要求1所述的基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂，其特征在于：所述的Bi2Sn2O7制备方法为：将适量Bi(NO3)3•5H2O和K2SnO3•3H2O混合于去离子水中，边搅拌边调节PH=12，超声30分钟，得到的悬浮溶液转移到反应釜中，180℃下反应24h，冷却至室温，得到沉淀物用去离子水清洗，然后在60℃下烘干8小时，得到Bi2Sn2O7粉体。

4.权利要求1所述的基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂在光催化转化亚硝酸盐和亚硫酸盐中的应用。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，方法如下：于含有亚硝酸盐和亚硫酸盐的水溶液中，用500 W氙灯照射，光照时间为4.0 h。