1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一隔绝层；

在所述隔绝层的一侧形成半导体层；

在所述半导体层背离所述隔绝层的一侧形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体层的隔绝区域；

对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，所述隔绝区域位于所述源极和所述漏极之间；

在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述源极的部分区域，以及所述漏极的部分区域；

进行刻蚀处理，以刻蚀掉未被所述掩膜层覆盖的源极区域和漏极区域；

在所述隔绝层上形成半导体层之前，所述制作方法还包括：在所述隔绝层上形成栅极，所述栅极贯穿所述源极、所述隔绝区域以及所述漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极包括多个独立的栅极单元；

多个独立的所述栅极单元等间隔排布。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述栅极单元的形状为条状；

其中，所述条状的延伸方向贯穿所述源极、所述隔绝区域以及所述漏极。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，包括：对所述半导体层的其它区域进行P型掺杂处理形成源极和漏极。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，包括：对所述半导体层的其它区域进行N型掺杂处理形成源极和漏极。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层，包括：采用Mandrel技术在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层。

7.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：隔绝层；

均设置在所述隔绝层一侧的源极和漏极；

设置在所述源极和所述漏极之间的隔绝区域；

所述晶体管还包括：

设置在所述隔绝层上的栅极，所述栅极贯穿所述源极、所述隔绝区域以及所述漏极。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包括多个独立的栅极单元；

多个独立的所述栅极单元等间隔排布；

所述栅极单元的形状为条状；

其中，所述条状的延伸方向贯穿所述源极、所述隔绝区域以及所述漏极。