1.一种三极管图像传感器，其特征在于，包括：驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述驱动背板承载多个像素, 所述像素包括三个图像传感单元，分别为图像传感单元R、图像传感单元G和图像传感单元B；

每个图像传感单元内均包括VDMOS器件，所述VDMOS器件设置在驱动背板上，至少覆盖一个所述过孔；

第一薄膜封装层，所述第一薄膜封装层填充设置在各VDMOS器件之间，且覆盖驱动背板和VDMOS器件，每个图像传感单元中对应的第一薄膜封装层上开有一电极槽；

共阴极，所述共阴极位于第一薄膜封装层上远离驱动背板的一侧，且覆盖电极槽，所述共阴极通过电极槽与VDMOS器件上表面接触；

第二薄膜封装层，所述第二薄膜封装层生长在共阴极上远离驱动背板上表面的一侧；

滤光层，所述滤光层设置在第二薄膜封装层远离驱动背板的一侧；

玻璃封装层，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在滤光层远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于玻璃封装层四周边框区域。

2.根据权利要求1所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述VDMOS器件包括传感电极、NPN型半导体层、栅极和栅极绝缘层，所述传感电极位于驱动背板上，且覆盖至少一个过孔，所述NPN型半导体层位于传感电极远离驱动背板的一侧。

3.根据权利要求2所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述栅极设置在NPN型半导体层内，且所述栅极的结构为V型结构，所述栅极绝缘层包覆栅极的内外侧形成门电极，且在同一个VDMOS器件内设有若干个门电极，各门电极之间通过栅极绝缘层连接。

4.根据权利要求2所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述栅极设置在NPN型半导体层内，且所述栅极的结构为倒梯形结构，所述栅极绝缘层包覆在栅极的外周形成独立的门电极，且在同一个VDMOS器件内设有若干个独立的门电极。

5.根据权利要求2所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述栅极绝缘层镀覆在NPN型半导体层和传感电极的外侧壁，所述栅极覆盖在所述栅极绝缘层的侧边。

6.根据权利要求3、4或5所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述滤光层包括第一金属层、绝缘层和第二金属层，所述第一金属层设置在第二薄膜封装层上远离驱动背板的一侧，每个图像传感单元内均设有绝缘层和第二金属层，所述绝缘层设置在第一金属层远离驱动背板的一侧，且每个图像传感单元均对应设置有绝缘层，且所述绝缘层与VDMOS器件在驱动背板上的投影交叠，所述第二金属层位于绝缘层远离驱动背板的一侧，所述绝缘层与VDMOS器件在驱动背板上的投影交叠。

7.根据权利要求6所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述图像传感单元R中的绝缘层厚度为28nm，所述图像传感单元G中的绝缘层厚度为15nm，所述图像传感单元B中的绝缘层厚度为9nm。

8.根据权利要求3、4或5所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述滤光层为光栅层，每个图像传感单元内均对应设置有光栅层，所述光栅层为Al/ZnSe/Al光栅层，从下至上依次包括第一Al薄膜层、ZnSe薄膜层和第二Al薄膜层。

9.根据权利要求8所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述图像传感单元R中光栅层的光栅间距为360nm、图像传感单元G中光栅层的光栅间距为270nm，所述图像传感单元B中光栅层的光栅间距为230nm。

10.根据权利要求3、4或5所述的一种三极管图像传感器，其特征在于，所述滤光层为RGB滤光片层，所述RGB滤光片层包括红色滤光单元R、绿色滤光单元G、蓝色滤光单元B和黑矩阵，所述红色滤光单元R、绿色滤光单元G和蓝色滤光单元B依次间隔排列设置在第二薄膜封装层上，所述黑矩阵围绕所述红色滤光单元R、绿色滤光单元G以及蓝色滤光单元B的周边设置；所述红色滤光单元R、绿色滤光单元G和蓝色滤光单元B分别对应设置在图像传感单元R、图像传感单元G和图像传感单元B内，且与各图像传感单元中的VDMOS器件在驱动背板上的投影交叠。