1.一种纳米晶MoSi2涂层的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：将基底置于磁控溅射系统的腔室中，抽真空后通入惰性气体，加热基底至600‑800℃，同时开启钼靶和硅靶的电源进行共沉积，得到MoSi2涂层；其中，钼靶为1个，硅靶为2个，共沉积过程中，控制钼靶和硅靶的溅射速率相同。

2.根据权利要求1所述的纳米晶MoSi2涂层的制备方法，其特征在于：所述硅靶的溅射功率为300‑320W，所述钼靶的溅射功率为75‑85W。

3.根据权利要求1或2所述的纳米晶MoSi2涂层的制备方法，其特征在于：所述基底的加热温度为800℃。

4.一种纳米晶MoSi2涂层，由权利要求1‑3任一项所述的纳米晶MoSi2涂层的制备方法得到，其特征在于：所述纳米晶MoSi2涂层的平均晶粒尺寸小于40nm。

5.一种根据权利要求4所述的纳米晶MoSi2涂层，其特征在于：所述纳米晶结构的平均晶粒尺寸为15‑17nm。

6.根据权利要求4所述的纳米晶MoSi2涂层，其特征在于：所述纳米晶结构为纳米柱状晶。

7.根据权利要求4所述的纳米晶MoSi2涂层，其特征在于：所述MoSi2涂层晶体物相结构由C11bMoSi2相和C40MoSi2相组成。

8.根据权利要求7所述的纳米晶MoSi2涂层，其特征在于：所述C40MoSi2相在(100)、(101)、(103)晶面上具有择优取向。

9.根据权利要求4所述的纳米晶MoSi2涂层，其特征在于：所述MoSi2涂层的厚度为1μm‑2μm。