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专利号: 2021102449782
申请人: 浙江理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜的制备方法,其特征在于:碳纤维布上负载有镍钴双金属硒化物晶体;镍钴双金属硒化物晶体呈针状,长度为5 10~微米,直径为200 300纳米,致密均匀生长于碳纤维上;

~ ‑1

纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜超级电容器电极材料在2 mol·L 的KOH电‑2解液下,电流密度为2、5、10、20和50 mA·cm 时,复合电极表现出1513.6、1421.3、1254.1、‑1

1102.9和967.4 F·g 的高比容量;

所述的碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)将可溶性镍盐、可溶性钴盐溶解在去离子水中,搅拌得到均匀溶液A;

(2)将硒粉溶解在水合肼溶液中,超声搅拌得到均匀溶液B;

(3)将溶液A用磁力搅拌器搅拌,用滴管将溶液B逐滴加入剧烈搅拌的溶液A中,继续搅拌30min,得到均匀溶液C;

(4)将活性碳纤维布浸没于步骤(3)的溶液C中,浸泡5小时;

(5)将步骤(4)浸泡后的溶液与活性碳纤维布一起转入聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中,共同在150℃ 180℃密闭反应12小时 24小时;

~ ~

(6)反应结束后,待反应釜自然冷却至常温,取出活性碳纤维布,依次用蒸馏水、乙醇洗涤后,将其在60℃ 90℃真空干燥8 h;

~

(7)在氩气或氮气保护下,将步骤(6)干燥所得的活性碳纤维布在300℃ 350℃热处理~

1h,在其表面得到纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜;

所述步骤(1)中,镍离子和钴离子的总摩尔浓度为0.10 0.20摩尔/升,镍离子和钴离子~的摩尔浓度比为1:1;

所述步骤(2)溶液B中的硒含量为0.2摩尔/升;

所述步骤(2)中,水合肼溶液是水合肼和去离子水体积比为1:1的混合溶液。

2.根据权利要求1所述的一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,可溶性镍盐为硝酸镍、氯化镍或醋酸镍中的一种;可溶性钴盐为硝酸钴、氯化钴或醋酸钴中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,磁力搅拌器的转速为2000 r/min。

4.根据权利要求1所述的一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中,活性碳纤维布为天然棉纤维布在氮气气氛下,

1000℃热处理1小时获得的。