1.一种铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将二水合氯化亚锡和六水合氯化铽溶于乙醇中，在第一温度下搅拌，得到溶液A；

步骤二，向所述溶液A加入去离子水，得到溶液B；

步骤三，将溶液B在第一温度下敞口搅拌，直至溶剂挥发殆尽，形成干凝胶，再加入乙醇，得到溶液C；

步骤四，降低温度至第二温度下，在第二温度下搅拌，向溶液C中加入乙酸调节pH值，得到溶液D；

步骤五，将溶液D在第三温度下敞口搅拌一段时间后，室温静置24小时，得到溶液E；

步骤六，将溶液E旋涂于衬底上制备成膜，并放在加热台上加热，获得基于衬底上的薄膜；

步骤七，将步骤六获得基于衬底上的薄膜采用快速热退火设备进行退火处理，得到铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料。

2.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的二水合氯化亚锡、六水合氯化铽和无水乙醇的质量体积比为(0.1‑1)g:(0.0001‑0.05)g:(0.5‑10)ml。

3.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤二中加入去离子水的体积与所述步骤一中的乙醇的体积比为(10‑1000)μl:(0.5‑

10)ml。

4.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤三的第一温度为50℃‑100℃；所述步骤三中加入乙醇的量与所述步骤一中加入的量的体积比为(0.5‑1):1。

5.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤四的第二温度为10℃‑90℃；所述步骤四中加入乙酸的体积与所述步骤一中的乙醇的体积比为(10‑1000)μl:(0.5‑10)ml。

6.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤五中第三温度为10℃‑100℃；所述步骤三中搅拌一定时间为1‑10h。

7.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述衬底包括半导体衬底，所述半导体衬底包括晶体硅衬底、锗衬底、砷化镓衬底或氮化镓衬底；所述步骤六中旋涂的层数为1‑10层。

8.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤六中所述加热台上加热的温度为30‑250℃；所述步骤七中所述退火处理的时间为1‑

100s，所述退火处理的温度为300‑1300℃。

9.如权利要求1中所述的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤七中所述退火处理的时间为10‑100s，所述铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料包含结晶态的铽掺杂氧化锡。

10.一种铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料，其特征在于，由权利要求1‑9任一项的铽掺杂氧化锡薄膜光致发光材料的制备方法制备而得，所述铽掺杂氧化锡薄膜材料可见光波段光致发光，在555nm波段发绿光。