1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅沟槽，在所述栅沟槽的底部和侧面形成溢出栅绝缘层，在所述溢出栅绝缘层上形成溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层与所述溢出栅电极组成溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；

在所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中形成二极管掺杂区；

在所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体衬底中形成溢出漏区，所述溢出漏区电连接电源线；

所述溢出栅极结构的深度小于所述二极管掺杂区的深度且大于所述溢出漏区的深度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述栅沟槽之后和形成所述溢出栅绝缘层之前，还形成位于所述栅沟槽下方的半导体衬底中的附加掺杂区，所述附加掺杂区、所述二极管掺杂区以及所述溢出漏区彼此相互分立。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述栅沟槽下方的半导体衬底中的附加掺杂区还包括，形成所述位于所述栅沟槽的底部中心位置处的第一附加掺杂区，以及位于所述第一附加掺杂区的正下方的第二附加掺杂区。

4.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一附加掺杂区与所述第二附加掺杂区之间的间隔为0.1微米。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一附加掺杂区与所述第二附加掺杂区的导电类型为N型，所述二极管掺杂区的导电类型为N型，所述溢出漏区的导电类型为N型。

6.根据权利要求1‑4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述附加掺杂区的工艺包括离子注入工艺。