1.一种InP PHEMT外延结构，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、下缓冲层、递变缓冲层、上缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述下缓冲层的材料为InP、In0.52Al0.48As或者In0.53Ga0.47As中的任意一种；所述上缓冲层的材料为InzA11‑zAs，其中，0.7≤z≤0.9；所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增；所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1；所述第一接触层的材料为掺杂Si的N型InkGa1‑kAs，0.8≤k≤0.9；所述第二接触层的材料为掺杂Si的N型InAs。

2.如权利要求1所述的InP PHEMT外延结构，其特征在于，所述隔离层的材料为InmA11‑mAs，0.7≤m≤0.9，所述势垒层的材料为InnA11‑nAs，0.7≤n≤0.9。

3.如权利要求1所述的InP PHEMT外延结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为InAs1‑jPj，0.1≤j≤1。

4.如权利要求1所述的InP PHEMT外延结构，其特征在于，所述Si平面掺杂层的掺杂浓

12 ‑2  12 ‑2 19 ‑3

度为4×10 cm  7×10 cm ；所述第一接触层的掺杂浓度大于10 cm ，第二接触层的掺~

18 ‑3

杂浓度大于10 cm 。

5.如权利要求1 4中任一项所述的InP PHEMT外延结构，其特征在于，所述InP衬底的厚~度为50nm 150nm，所述递变缓冲层的厚度为0.5um 3um，所述沟道层的厚度为10nm 30nm，所~ ~ ~述隔离层的厚度为2nm 6nm，所述势垒层的厚度为5nm 20nm，所述刻蚀停止层的厚度为2nm~ ~ ~

6nm，所述第一接触层的厚度为10nm 20nm，所述第二接触层的厚度为5nm 10nm。

~ ~

6.一种InP PHEMT外延结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1 5中任一~项所述的InP PHEMT外延结构，所述制备方法包括以下步骤：将所述InP衬底置于反应室内，对所述InP衬底进行热处理；

在所述InP衬底上外延生长所述递变缓冲层；

在所述递变缓冲层上外延生长所述沟道层；

在所述沟道层上外延生长所述隔离层；

在所述隔离层上外延生长所述Si平面掺杂层；

在所述Si平面掺杂层上外延生长所述势垒层；

在所述势垒层上外延生长所述刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上外延生长所述第一接触层；

在所述第一接触层上外延生长所述第二接触层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的条件为：将所述InP衬底送入气态源分子束外延系统的预处理室，在250 300℃的温度下除气20 40 min。

~ ~

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述递变缓冲层的外延生长过程中，温度为300~500℃，AsH3的裂解压力为300~800Torr，保持Al炉温度不变，单向逐渐升高In炉温度，以使InxA11‑xAs中In组分x由0.52逐渐增大至0.8。