1.一种硅片清洗室清洗系统，其特征在于，包括至少一根设置在硅片清洗室(1)顶部且带有开关(7)的第一清洗管道(5)，所述第一清洗管道(5)上设置有第一清洗液喷头(6)，且所述第一清洗液喷头(6)的喷射范围至少覆盖所述硅片清洗室(1)内的载体(3)、排气间隙(4)以及机械臂(2)。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，每一根所述第一清洗管道(5)上设置有多个沿所述第一清洗管道(5)长度方向间隔分布的多个所述第一清洗液喷头(6)。

3.根据权利要求2所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，同一根所述第一清洗管道(5)上，相邻两个所述第一清洗液喷头(6)的间距相等。

4.根据权利要求1‑3任意一项所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，所述第一清洗液喷头(6)的下端为弧形喷射面，所述弧形喷射面上开设有多个清洗液喷洒孔(8)。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，所述清洗液喷洒孔(8)的直径为0.2mm～0.5mm。

6.根据权利要求4所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，所述硅片清洗室(1)呈长方体状，且所述第一清洗液喷头(6)的喷射范围还能够覆盖所述硅片清洗室(1)的四个内壁以及整个底部。

7.根据权利要求1‑3、5‑6任意一项所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，所述硅片清洗室(1)顶部设置有多根平行排布的所述第一清洗管道(5)。

8.根据权利要求1所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，还包括与所述开关(7)相连，并用于控制所述开关(7)通断的控制模块。

9.根据权利要求1所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，还包括设置在所述机械臂(2)上，且带有开关的第二清洗管道，所述第二清洗管道上设置有用于对所述载体(3)以及所述排气间隙(4)进行清洗的第二清洗液喷头。

10.根据权利要求1所述的硅片清洗室清洗系统，其特征在于，所述第一清洗管道(5)为聚丙烯管道或者聚四氟乙烯管道。