1.一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于，包括最下层厚度为1um-5um的衬底（18），衬底（18）之上是厚度为1-3nm的AlN层二（17），AlN层二（17）之上是厚度为500nm-3um的GaN缓冲层（16），GaN缓冲层（16）之上是厚度为厚度1-3nm的AlN层一（15）、源电极（1）和漏电极（11），AlN层一（15）之上是厚度为10-30nm 的AlxGa1-xN势垒层（14），所述源电极（1）和漏电极（11）位于AlN层一（15）和AlxGa1-xN势垒层（14）的两侧，源电极（1）之上为倒凹型的源极场板（2），漏电极（11）之上为L型的漏极场板一（9），所述源极场板（2）与漏极场板一（9）之间从左到右依次为插入氧化层一（6）、插入氧化层二（7）和钝化层二（13），所述源极场板（2）下方是钝化层一（12），钝化层一（12）内设有栅电极（4），所述栅电极（4）与AlxGa1-xN势垒层（14）之间的连接处设有氧化隔离层二（5），所述源极场板（2）与AlxGa1-xN势垒层（14）之间的连接处设有氧化隔离层一（3）。

2.根据权利要求1所述的一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于：所述衬底（18）材料为蓝宝石、碳化硅或硅，所述AlxGa1-xN势垒层（14）中0.2< x< 

0.35，所述氧化隔离层一（3）和氧化隔离层二（5）的材质都为氧化物Al2O3 ，且厚度都在5-

30nm之间。

3. 根据权利要求1所述的一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于：所述插入氧化层一（6）的材质为氧化物Al2O3 ，其高度与源极场板高度一致，宽度为

0.3um-2um，所述插入氧化层二（7）的材质为氧化物SiO2 ，其高度与源极场板高度一致，宽度0.3um-2um。

4. 根据权利要求1所述的一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于：所述源电极（1）由金属Ti、Al、Ni和Au制成，四种金属的厚度分别为20nm、100nm、20nm和150nm，所述栅电极（4）由金属Ni和Au制成，两种金属的厚度分别为20nm和150nm，所述漏电极（11）、漏极场板一（9）和源极场板（2）的材质与源电极（1）相同。

5. 根据权利要求1所述的一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于：所述钝化层一（12）和钝化层二（13）都由氧化物Si3N4制成，且二者的结构空隙处以及金属部分均进行钝化覆盖。

6. 制作权利要求1所述的一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件的工艺，其特征在于：包括如下步骤：

第一步：器件清洗

清洗方法是先依次采用丙酮、 酒精、去离子水各超声5分钟，去除部分油脂；然后采用1号液APM：NH4OH:H2O2:DI=1:5:30 ，超声清洗10分钟，然后用2号液HPM：HCl:H2O2:DI=1:4:20，超声清洗10分钟，然后再次依次采用丙酮、酒精、去离子水各超声清洗5分钟，最后氮气吹干后立即在110℃热台上烘烤5分钟备用；

第二步：欧姆接触

在器件上使用物理气相淀积蒸镀源电极（1）、漏电极（11）；

第三步：台面刻蚀

先做光刻，然后RIE去残胶，然后采用ICP刻蚀，刻蚀时间20秒，刻蚀深度100- 500nm，然后RIE去残胶，再用盐酸对表面进行处理1分钟，再氮气吹干后立刻在110 ℃热台上烘烤5分钟；

第四步：栅凹槽刻蚀

刻蚀方式与第三步相同，在第三步之后再刻蚀一个栅凹槽，栅凹槽的刻蚀深度在5-

30nm之间；

第五步：氧化层淀积

包括氧化隔离层一（3）和氧化隔离层二（5），材料是Al2O3，采用磁控溅射法淀积，其厚度在5-30nm之间；

第六步：二次欧姆接触

器件上使用物理气相淀积蒸镀栅电极（4）；

第七步：钝化

将后三次欧姆接触所在的位置进行开窗刻蚀，使其露出，钝化使用PECVD进行Si3N4淀积，钝化厚度为100-500 nm，刻蚀方法与第三步相同；

第八步：三次欧姆接触

在上一步开窗露出的位置制备漏、源场板，使用物理气相淀积，单层场板厚度为50-

150nm；

第九步：二次钝化

将后一步氧化层淀积所在的位置进行开窗刻蚀，使其露出，钝化使用PECVD进行Si3N4淀积，钝化厚度为100-500 nm，刻蚀方法与第三步相同；

第十步：氧化层淀积

在上一步开窗露出的地方制备插入氧化层一（6），采用磁控溅射法淀积Al2O3，高度与源极场板高度一致，宽度0.3um-2um；

第十一步：开窗淀积

在插入层一旁边再次开窗，然后淀积插入氧化层二（7），采用PECVD进行SiO2淀积，高度与源极场板高度一致，宽度0.3um-2um；

第十二步：保护钝化

将有源区以下区域全部进行钝化保护，使用PECVD进行Si3N4钝化，钝化厚度约为100-

300 nm。

7. 根据权利要求6所述的制作一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件的工艺，其特征在于：第三步还可采用离子注入的方式，采用离子注入的方式不需要做台面刻蚀，能够减少器件的表面损伤。

8. 一种双漏极场板的优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于，包括最下层厚度为1um-5um的第二衬底（18a），第二衬底（18a）之上是厚度为1-3nm的第二AlN层二（17a），第二AlN层二（17a）之上是厚度为500nm-3um的第二GaN缓冲层（16a），第二GaN缓冲层（16a）之上是厚度为厚度1-3nm的第二AlN层一（15a）、第二源电极（1a）和第二漏电极（11a），第二AlN层一（15a）之上是厚度为10-30nm 的第二AlxGa1-xN势垒层（14a），所述第二源电极（1a）和第二漏电极（11a）位于第二AlN层一（15a）和第二AlxGa1-xN势垒层（14a）的两侧，第二源电极（1a）之上为倒凹型的第二源极场板（2a），第二漏电极（11a）之上为L型的第二漏极场板一（9a）和第二漏极场板二（10a），所述第二源极场板（2a）与第二漏极场板一（9a）之间从左到右依次为第二插入氧化层一（6a）、第二插入氧化层二（7a）和第二钝化层二（13a），所述第二源极场板（2a）下方是第二钝化层一（12a），第二钝化层一（12a）内设有第二栅电极（4a），所述第二栅电极（4a）与第二AlxGa1-xN势垒层（14a）之间的连接处设有第二氧化隔离层二（5a），所述第二源极场板（2a）与第二AlxGa1-xN势垒层（14a）之间的连接处设有第二氧化隔离层一（3a）。

9. 根据权利要求8所述的一种双漏极场板的优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第二氧化隔离层一（3a）的材质为氧化物Al2O3 ，厚度为3-20nm，第二氧化隔离层二（5a）的材质为氧化物Al2O3，厚度为5-30nm。