1.一种太赫兹相位调制器，包括金属和介质层，其特征在于，

所述太赫兹相位调制器由多个微结构单元排列形成，所述微结构单元包括介质层，设置在所述介质层底部的金属板，设置在所述介质层表面的第一金属光栅结构、第二金属光栅结构、第一石墨烯条、第二石墨烯条、第一金属片以及第二金属片；

沿所述介质层表面横向，所述第一金属光栅结构和所述第二金属光栅结构分别相互平行地位于所述介质层表面的两端，所述第一石墨烯条的一端与所述第一金属光栅结构的一侧连接，所述第二石墨烯条的一端与所述第二金属光栅结构的一侧连接；

沿所述介质层表面纵向，在所述第一石墨烯条的两侧放置有两块所述第一金属片，在所述第二石墨烯条的两侧放置有两块所述第二金属片；

所述第一金属片的一侧与所述第一石墨烯条远离所述第一金属光栅结构的一端相齐平；所述第二金属片的一侧与所述第二石墨烯条远离所述第二金属光栅结构的一端相齐平；

所述第一石墨烯条的长度与所述第二石墨烯条的长度相等，所述第一石墨烯条的宽度小于所述第二石墨烯条的宽度，所述第一金属片与所述第二金属片大小不同，所述第一金属片的大小小于所述第二金属片的大小。

2.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述金属板、所述第一金属光栅结构、所述第二金属光栅结构、所述第一金属片以及所述第二金属片的厚度为0.2μm‑1μm。

3.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述金属板、所述第一金属光栅结构、所述第二金属光栅结构、所述第一金属片以及所述第二金属片的厚度均相等。

4.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述介质层的长度为126μm‑

130μm，宽度为60μm‑66μm，厚度为90μm‑110μm。

5.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述第一金属光栅结构和所述第二金属光栅结构的长度与所述介质层的宽度相等，为60μm‑66μm，所述第一金属光栅结构和所述第二金属光栅结构的宽度为2μm‑6μm。

6.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条的长度与所述第二石墨烯条的长度均为51μm‑55μm；所述第一石墨烯条的宽度为4μm‑8μm，第二石墨烯条的宽度为8μm‑12μm。

7.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述第一金属片的长度为35μm‑39μm，宽度为19μm‑23μm；所述第二金属片的长度为43μm‑47μm，宽度为21μm‑25μm。

8.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述金属的材料为铝、金或银。

9.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器，其特征在于，所述介质层的介电常数为

3.0‑3.5；所述介质层的材料为聚酰亚胺。

10.根据权利要求1所述的太赫兹相位调制器的使用方法，其特征在于，包括将所述太赫兹相位调制器置于光路中，以及根据对相位的要求，调节所述第一金属光栅结构和所述第二金属光栅结构的外加电压的步骤。