1.一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：包括依次排列相连的阳极电极(5)、钙钛矿吸收层Ⅰ(1)、电子阻挡层(2)、钙钛矿吸收层Ⅱ(3)、电子传输层(4)和阴极电极(6)；钙钛矿吸收层Ⅰ(1)和电子阻挡层(2)为P型；钙钛矿吸收层Ⅱ(3)和电子传输层(4)为N型；电子阻挡层(2)与钙钛矿吸收层Ⅱ(3)形成异质PN结。

2.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述电子阻挡层(2)的材料采用Spiro‑OMeTAD。

3.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述钙钛矿吸收层Ⅰ(1)的厚度为1‑2μm。

4.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述钙钛矿吸收层Ⅰ(1)的厚度为1.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述钙钛矿吸收层Ⅱ(3)的厚度为31μm；所述电子传输层(4)的厚度为0.02μm‑0.1μm；所述阳极电极(5)的厚度可选为0.15μm‑0.3μm；所述阴极电极(6)的厚度可选为0.1μm‑0.5μm。

6.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述阳极电极(5)的材料采用ITO；所述阴极电极(6)的材料采用Ag；所述电子传输层(4)的材料采用ZnO。

7.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述的阳极电极(5)采用透明电极。

8.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述的钙钛矿吸收层Ⅰ和钙钛矿吸收层Ⅱ采用同一种材料。

9.根据权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述的钙钛矿吸收层Ⅰ(1)、电子阻挡层(2)、钙钛矿吸收层Ⅱ(3)、电子传输层(4)、阳极电极(5)和阴极电极(6)均呈正方形。

10.如权利要求1所述的一种高EQE和低FWHM的钙钛矿光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤一、采用磷离子对电子传输层(4)进行掺杂，形成n型的电子传输层(4)；

步骤二、在电子传输层(4)上进行钙钛矿异质外延生长，形成钙钛矿吸收层Ⅱ(3)；在钙钛矿吸收层Ⅱ(3)内掺杂磷离子，形成n型的钙钛矿吸收层Ⅱ(3)；

步骤三、在钙钛矿吸收层Ⅱ(3)上进行电子阻挡层(2)的异质外延生长，形成电子阻挡层(2)；在电子阻挡层(2)中掺杂硼离子，形成p型的电子阻挡层(2)；此时，钙钛矿吸收层Ⅱ(3)与电子阻挡层(2)形成异质PN结；

步骤四、在电子阻挡层(2)上进行钙钛矿吸收层Ⅰ(1)的异质外延生长，形成钙钛矿吸收层Ⅰ(1)；在钙钛矿吸收层Ⅰ(1)中掺杂硼离子，形成p型的钙钛矿吸收层Ⅰ(1)；

步骤五、将阴极电极(6)固定到n型电子传输层(4)的外侧；将阳极电极(5)固定到钙钛矿吸收层Ⅰ(1)的外侧。