1.一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，清洗FTO导电玻璃衬底：将FTO导电玻璃衬底超声清洗；

步骤2，UV‑zone处理FTO导电玻璃衬底：将清洗过的FTO导电玻璃衬底放在UV‑zone中处理；

步骤3，制备电子传输层：将配置好的TiO2溶胶前驱体旋涂在处理好的FTO导电玻璃衬底上，将旋涂好的TiO2薄膜退火，得到致密的TiO2电子传输层；

步骤4，钙钛矿光吸收层的溶液法制备：

1）将PbI2前驱体溶液滴在制备好的FTO/ TiO2衬底上，按照不同的转速旋涂，将得到的PbI2前驱体薄膜退火，冷却至室温；

2）将CsCl溶液滴在一定旋涂速度的涂有PbI2薄膜衬底中心，退火，薄膜上长出微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线结构，得到钙钛矿光吸收层；

步骤5，制备空穴传输层：

将空穴传输层材料Spiro‑MeOTAD混合物溶液、PTAA、P3HT、CuI、NiOx或MoOx中的一种或多种在室温条件下旋涂在钙钛矿吸收层上，得到空穴传输层；

步骤6，制备电极：采用热蒸镀的方式在空穴传输层上沉积金属电极，或直接采用丝网印刷技术在钙钛矿层上沉积碳电极，得到光电探测器。

2.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，以2000‑4000 rpm的转速旋涂在处理好的FTO导电玻璃衬底上，将旋涂好的TiO2薄膜在50‑70 ℃预热20‑30 min后，在120‑200 min时间内从室温加热到450‑

500℃，退火40‑60min；所述致密的TiO2电子传输层厚度为40‑80 nm。

3.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，PbI2前驱体溶液是按照体积比将PbI2溶解于DMSO或DMF中制得；

PbI2前驱体溶液浓度为0.5‑1.2 mol/L。

4.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤4‑1）中，以1000‑1500rpm的速度旋涂20‑40 s，接着4000‑5000 rpm 的速度旋转20‑40 s；得到的PbI2前驱体薄膜，将得到的PbI2前驱体薄膜在150‑250℃退火5min后，冷却至室温。

5.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤4‑2）中，将CsCl溶液滴在旋涂速度为4000‑5000 rpm的涂有PbI2薄膜衬底中心，在200 ℃退火20‑40 min；

所述CsCl溶液是将CsCl颗粒溶解于甲醇或异丙醇中制备浓度为2‑8mg/L的溶液。

6.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，Spiro‑MeOTAD混合物溶液是按照质量比将4‑8%的Spiro‑MeOTAD、

0.6‑1.0%的锂盐Li‑TFSI、2.0‑2.4%的4‑叔丁基吡啶t‑BP和89‑93%的氯苯混合搅拌24‑36 h得到。

7.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，在室温条件下将空穴传输层材料旋涂在钙钛矿光吸收层上，旋涂速度为2000‑

4000rpm，时间为30‑40s。

8.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其‑5特征在于，所述步骤6中，热蒸镀法沉积金属电极时，在腔室真空度10  Pa以下的条件下，以

1.0 1.2 Å/s的速率蒸镀100 120 nm的金属电极。

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9.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤6中，直接采用丝网印刷技术在空穴传输层上沉积碳电极，将导电碳浆2

料沉积在空穴传输层上，碳电极的面积为0.09‑1 cm ，然后100‑120 ℃退火10‑15 min，厚度控制在800‑1000nm。

10.一种基于权利要求1‑9任一项所述方法制备的全无机钙钛矿纳米线的自供能‑短波光电探测器，其特征在于，包括自下而上的玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极；

所述钙钛矿光吸收层为CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线；

所述电子传输层包括氧化锡、氧化钛或铝锌氧化物；

所述空穴传输层为Spiro‑OMeTAD、PTAA、P3HT、CuI、NiOx或MoOx中的一种或多种；

所述电极为不透明或半透明的金、银电极或导电碳材料电极。