1.一种电隔离结构，包括光学器件（1）以及设置于所述光学器件（1）上的器件电极（5）；

其特征是：在所述器件电极（5）的外圈设置电极纳米森林（10），在所述电极纳米森林（10）上设置非连续的电极纳米森林金属层（13），通过电极纳米森林（10）以及所述电极纳米森林（10）上非连续的电极纳米森林金属层（13）能实现器件电极（5）间所需的电隔离；

还包括设置于所述光学器件（1）上的高吸收结构（2）以及器件区电隔离结构（15）；

所述高吸收结构（2）包括设置于光学器件（1）的光吸收区的光吸收区纳米森林（9），在所述光吸收区纳米森林（9）上设置非连续的光吸收区金属层（12）；

所述器件区电隔离结构（15）包括器件区纳米森林以及设置于所述器件区纳米森林上的非连续的器件区纳米森林金属层；

所述电极纳米森林（10）、器件区纳米森林与光吸收区纳米森林（9）为同一工艺步骤形成，电极纳米森林金属层（13）、器件区纳米森林金属层与光吸收区金属层（12）为同一工艺步骤层。

2.根据权利要求1所述的电隔离结构，其特征是：还包括设置于光学器件（1）划片道上的划片道纳米森林（11），在所述划片道纳米森林（11）上设置非连续的划片道金属层（14）。

3.根据权利要求1所述的电隔离结构，其特征是：所述电极纳米森林（10）内纳米纤维体的高度为1μm 50μm，所述纳米纤维体的直径为10nm 300nm。

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4.一种电隔离结构的制备方法，其特征是，用于制备权利要求1所述的电隔离结构，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1、提供光学器件（1），并在所述光学器件（1）光吸收区制备光吸收区纳米森林（9），以及在光学器件（1）的器件电极（5）的外圈制备电极纳米森林（10）；

步骤2、通过金属沉积工艺，在光吸收区纳米森林（9）上制备得到非连续的光吸收区金属层（12），同时，在电极纳米森林（10）上制备得到非连续的电极纳米森林金属层（13）。

5.根据权利要求4所述电隔离结构的制备方法，其特征是，步骤1中，还在光学器件（1）的划片道上制备得到划片道纳米森林（11）；步骤2中，在划片道纳米森林（11）上制备得到非连续的划片道金属层（14）。

6.根据权利要求5所述电隔离结构的制备方法，其特征是，步骤1中，在光学器件（1）的光吸收区制备光吸收区聚合物层（6），并在器件电极（5）的外圈制备器件电极聚合物层（7）；

对所述光吸收区聚合物层（6）、器件电极聚合物层（7）同时进行等离子体轰击，以在光吸收区制备得到光吸收区纳米森林（9），以及在器件电极（5）的外圈制备电极纳米森林（10）。

7.根据权利要求4所述电隔离结构的制备方法，其特征是，步骤1中，在光学器件（1）的器件区制备得到器件区纳米森林；步骤2中，在器件区纳米森林上制备得到非连续的器件区纳米森林金属层，通过器件区纳米森林以及所述器件区纳米森林上的器件区纳米森林金属层能形成器件区电隔离结构；

光吸收区纳米森林（9）、电极纳米森林（10）、器件区纳米森林内纳米纤维体的高度为1μm 50μm，所述纳米纤维体的直径为10nm 300nm。

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8.根据权利要求4所述电隔离结构的制备方法，其特征是，所述光学器件（1）包括MEMS光学器件，光学器件（1）为单个器件或阵列分布式器件。