1.一种电子级超高纯铝晶析装置，包括转体和驱动装置（2），所述转体安装在坩埚（3）的上方，所述转体的下端伸入至所述坩埚（3）内的铝液液面（4）下，所述驱动装置（2）与所述转体连接，用于驱动所述转体转动，其特征在于：所述转体内设有冷却气路（5），将冷却气体充入至所述冷却气路（5）内对所述转体进行降温，进而在所述转体的下端凝固堆积形成高纯度铝结晶物。

2.根据权利要求1所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述冷却气路（5）包括冷却气体从上至下流通的进气通道（51）和冷却气体从下至上流通的出气通道（52），所述进气通道（51）和所述出气通道（52）在所述转体内部连通，所述转体位于坩埚（3）上方的部分设有与所述进气通道（51）连通的进气口（53），所述转体位于铝液液面（4）上方的部分设有与所述出气通道（52）连通的出气口（54）。

3.根据权利要求2所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述坩埚（3）内于铝液液面（4）的上方设有气体保护腔（31），所述坩埚（3）上设有向所述气体保护腔（31）通入保护气体的保护气路（6）。

4.根据权利要求3所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述保护气路（6）包括第一进气管路（61）和第一出气管路（62），所述第一进气管路（61）连接外接充气装置（63）和气体保护腔（31），用于向所述气体保护腔（31）内充入保护气体，所述第一出气管路（62）用于连通气体保护腔（31）和外界，用于将所述气体保护腔（31）内的气体排出。

5.根据权利要求3所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述出气口（54）位于所述气体保护腔（31）内，所述冷却气体为不与铝液反应的保护气体，通过向所述冷却气路（5）中通入压缩的保护气体对所述转体进行降温，经所述冷却气路（5）的保护气体通过所述出气口（54）排出并充入至所述气体保护腔（31）内使得冷却气体冷却完后再次承当其保护气体作用。

6.根据权利要求2所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述进气通道（51）呈螺旋状和/或竖直设置，所述出气通道（52）呈螺旋状和/或竖直设置。

7.根据权利要求3所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述转体的下端套设有石墨管（7），所述石墨管（7）的至少部分伸入至所述铝液液面（4）下方。

8.根据权利要求7所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述坩埚（3）的顶部开口处设有第一密封盖（32），所述第一密封盖（32）的中心位置设有第一通孔（321），所述转体的下端穿过所述第一通孔（321）伸入至所述坩埚（3）内，并且所述转体能够相对于所述第一密封盖（32）转动。

9.根据权利要求8所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述坩埚（3）内还设有第二密封盖（33），所述第二密封盖（33）与所述第一密封盖（32）间隔设置，所述气体保护腔（31）位于铝液液面（4）与所述第二密封盖（33）之间，所述第二密封盖（33）的中心位置设有第二通孔（331），所述转体的下端依次穿过所述第一通孔（321）和所述第二通孔（331）伸入至所述坩埚（3）内，并且所述转体能够相对于所述第二密封盖（33）转动。

10.根据权利要求9所述的电子级超高纯铝晶析装置，其特征在于：所述转体包括从上至下同轴连接的第一转体（11）和第二转体（12），所述第二转体（12）的直径大于所述第一转体（11）的直径，所述第二转体（12）的上端伸出所述第一密封盖（32）；所述石墨管（7）套设在所述第二转体（12）的下端，并且所述石墨管（7）的顶端伸出所述第二密封盖（33）；所述第二转体（12）的上端外侧套设有耐高温管（8）。