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专利号: 2020112777596
申请人: 贵溪穿越光电科技有限公司(CN)
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、将二胺类单体和四羧酸二酐类单体进行缩聚反应得到聚酰胺酸;

S2、向所述聚酰胺酸中先加入异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行反应,再加入正硅酸乙酯进行反应,之后进行涂膜、加热,即得到所述聚酰亚胺薄膜;

其中,所述二胺类单体包括含有苯并咪唑基团的二胺单体;

所述含有苯并咪唑基团的二胺单体为2‑(3‑氨基苯基)‑5‑氨基苯并咪唑、2‑(4‑氨基苯基)‑5‑氨基苯并咪唑中的至少一种。

2.根据权利要求1所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,二胺类单体和四羧酸二酐类单体的摩尔比为1.05‑1.2:1。

3.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述二胺类单体还包括其他芳香族二胺单体,所述其他芳香族二胺单体为4,4'‑二氨基二苯醚、

3,4'‑二氨基二苯醚、4,4'‑二氨基二苯砜、3,3'‑二氨基二苯砜中的至少一种。

4.根据权利要求3所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述含有苯并咪唑基团的二胺单体是二胺类单体总量的50‑60mol%。

5.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述四羧酸二酐类单体为4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐、4,4'‑氧双邻苯二甲酸酐、4,4'‑联苯四羧酸二酐、1,2,3,4‑环丁烷四羧酸二酐、1,2,4,5‑环戊烷四羧酸二酐中的至少一种。

6.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述异氰酸丙基三乙氧基硅烷的用量是四羧酸二酐类单体摩尔量的10‑30%。

7.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述正硅酸乙酯的用量是四羧酸二酐类单体摩尔量的10‑60%。

8.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,将二胺类单体和四羧酸二酐类单体进行缩聚反应的温度为20‑30℃,时间为2‑6h;步骤S2中,加入异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行反应的温度为30‑40℃,时间为1‑3h;加入正硅酸乙酯进行反应的温度为20‑30℃,时间为10‑18h。

9.根据权利要求1‑2任一项所述耐热透明聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,加热的温度为80‑330℃,时间为2‑6h。

10.一种耐热透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,其是采用权利要求1‑9任一项所述制备方法制备得到。