1.一种内置UHF降频电路，其特征在于，包括：

一级放大器I(110)，输入端用于连接水平极化天线(111)；

一级放大器II(120)，输入端用于连接垂直极化天线(112)；

二级放大器I(130)，输入端分别与所述一级放大器I(110)的输出端和所述一级放大器II(120)的输出端连接；

带通微带滤波器(140)，输入端与所述二级放大器I(130)的输出端连接；

锁相器(150)，输入端与所述带通微带滤波器(140)的输出端连接；

选频电路I(160)，输入端与所述锁相器(150)的输出端连接；

一级放大器III(210)，输入端用于连接地面天线(211)；

二级放大器II(220)，输入端与所述一级放大器III(210)的输出端连接；

选频电路II(230)，输入端与所述二级放大器II(220)的输出端连接；

信号输出接口(300)，分别与所述选频电路I(160)的输出端和所述选频电路II(230)的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述一级放大器I(110)和所述一级放大器II(120)均分别包括MOS管，所述MOS管的栅极连接有第一限流电阻，并通过所述第一限流电阻与所述锁相器(150)的第一供电输出端连接，所述第一限流电阻还连接有第一滤波电容，并通过所述第一滤波电容接地，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与所述锁相器(150)的第二供电输出端连接，所述MOS管连接有第二滤波电容，并通过所述第二滤波电容接地，所述MOS管的漏极还与所述二级放大器I(130)连接。

3.根据权利要求2所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述MOS管的栅极与所述第一限流电阻之间串接有第一微带电感，所述MOS管的漏极与所述锁相器(150)的第二供电输出端之间串接有第二微带电感。

4.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述二级放大器I(130)的输入端连接有微带双工器(131)，并通过所述微带双工器(131)分别与所述一级放大器I(110)和所述一级放大器II(120)连接。

5.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述锁相器(150)和所述选频电路I(160)之间串接有陶瓷滤波器(161)。

6.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述一级放大器III(210)和所述二级放大器II(220)均分别包括三极管，所述三极管的基极连接有第一耦合电容，并通过第一耦合电容与前级电路连接，所述三极管的基极还连接有第二限流电阻，并通过所述第二限流电阻与工作电压连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极连接有第三微带电感，并通过所述第三微带电感连接第三限流电阻，所述第三限流电阻与所述工作电压连接，所述三极管的集电极还连接有第二耦合电容，并通过所述第二耦合电容与后级电路连接。

7.根据权利要求1或6所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述一级放大器III(210)和所述二级放大器II(220)之间连接有电位器(221)。

8.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，所述选频电路II(230)包括电感L2以及串联连接的电容C22、电容C24、电容C23、电容C28和电容C27，所述电感L2并联于所述电容C28的两端，所述电容C24和所述电容C27的两端分别并联有第四微带电感L17和第五微带电感L18。

9.根据权利要求1所述的内置UHF降频电路，其特征在于，还包括稳压电路(400)，所述稳压电路(400)的输入端连接有磁芯电感L1，并通过所述磁芯电感L1与所述信号输出接口(300)连接，所述稳压电路(400)的输出端分别与所述锁相器(150)、所述一级放大器III(210)和所述二级放大器II(220)连接。

10.一种内置UHF降频器，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的内置UHF降频电路。