1.一种C波段降频电路，其特征在于，包括：

双工器(300)；

中频放大电路(400)，输入端与所述双工器(300)的输出端连接，所述中频放大电路(400)的输出端用于对外输出信号；

结构相同的垂直极化支路(100)和水平极化支路(200)，均包括：

极化探针(110)，连接有第一放大电路(120)；

多级级联放大电路(130)，第一级所述级联放大电路(130)的输入端与所述第一放大电路(120)的输出端连接；

多级射频窄带滤波器(140)，所述射频窄带滤波器(140)与所述级联放大电路(130)间隔连接；

锁相环集成电路(150)，输入端与最后一级所述射频窄带滤波器(140)连接；

介质滤波器(160)，输入端与所述锁相环集成电路(150)的输出端连接；

输出滤波电路(170)，输入端与所述介质滤波器(160)的输出端连接，所述输出滤波电路(170)的输出端与所述双工器(300)的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的C波段降频电路，其特征在于，还包括信号源电路(500)，所述信号源电路(500)分别与所述垂直极化支路(100)和所述水平极化支路(200)的第一放大电路(120)连接。

3.根据权利要求2所述的C波段降频电路，其特征在于，所述第一放大电路(120)包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极通过第一射频微带传输线(101)与所述极化探针(110)连接，所述第一射频微带传输线(101)连接有第一分压滤波电路，并通过所述第一分压滤波电路与所述信号源电路(500)的输出端G1连接，所述MOS管Q1的漏极连接有第一滤波电路，并通过所述第一滤波电路与所述信号源电路(500)的输出端D1连接，所述MOS管Q1的源极接地。

4.根据权利要求1所述的C波段降频电路，其特征在于，所述级联放大电路(130)和所述射频窄带滤波器(140)的数量均为两级，所述级联放大电路(130)包括三极管Q2和三极管Q3，所述射频窄带滤波器(140)包括第一级微带滤波器(141)和第二级微带滤波器(142)；

所述三极管Q2的基极连接有电容C2，并通过所述电容C2与所述第一放大电路(120)的输出端连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极连接有第二分压滤波电路，并通过所述第二分压滤波电路与工作电源连接，所述三极管Q2的集电极还连接有电容C6，并通过所述电容C6与所述第一级微带滤波器(141)连接，所述第一级微带滤波器(141)连接有电容C4，并通过所述电容C4与所述三极管Q3的基极连接；

所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极连接有第三分压滤波电路，并通过所述第三分压滤波电路与所述工作电源连接，所述三极管Q3的集电极还连接有电容C9，并通过所述电容C9与所述第二级微带滤波器(142)连接，所述第二级微带滤波器(142)与所述锁相环集成电路(150)的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的C波段降频电路，其特征在于，所述第二分压滤波电路和/或所述第三分压滤波电路包括分压电阻、滤波电容和第一微带电感线，所述分压电阻的第一端与所述工作电源连接，所述分压电阻的第二端与所述第一微带电感线连接，并通过所述第一微带电感线与相应的三极管连接，所述分压电阻还与所述滤波电容连接，并通过所述滤波电容接地。

6.根据权利要求1所述的C波段降频电路，其特征在于，所述锁相环集成电路(150)包括锁相环芯片以及与所述锁相环芯片连接的晶振。

7.根据权利要求1所述的C波段降频电路，其特征在于，所述输出滤波电路(170)包括多个输出滤波电容和多个第二微带电感线，多个所述输出滤波电容和多个所述第二微带电感线组成LC滤波电路。

8.根据权利要求1所述的C波段降频电路，其特征在于，所述双工器(300)包括电容C27和电阻R10，所述电容C27和所述电阻R10并联后的两端分别与所述垂直极化支路(100)和所述水平极化支路(200)的输出滤波电路(170)连接，所述电容C27和所述电阻R10并联后的两端还连接有电容C25，并通过所述电容C25与所述中频放大电路(400)连接。

9.一种降频器，其特征在于，包括权利要求1至8任意一项所述的C波段降频电路。

10.根据权利要求9所述的降频器，其特征在于，所述C波段降频电路连接有多个级联连接的分配器。