1.一种欠压保护电路，其特征在于，包括电流镜模块、电流比较模块、参考电流产生模块、电阻模块和缓冲器，所述缓冲器外接用电设备；

所述电流镜模块包括第一MOS管和第二MOS管，所述电流比较模块包括第二MOS管和第三MOS管，所述参考电流产生模块包括第四MOS管，所述电阻模块包括第一电阻和第二电阻；

所述电流镜模块中，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极与外部电源连接，所述第一MOS管的漏极和栅极相互连接，所述第一MOS管的漏极还连接所述第四MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极和源极相互连接后接地，以使所述第二MOS管的漏极电流为所述第四MOS管中的漏极电流；

所述电流比较模块中，所述第二MOS管的源极与外部电源连接，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第一电阻的一端以及所述第二电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与外部电源连接，所述第二电阻的另一端接地；

所述第二MOS管的漏极和所述第三MOS管的漏极与所述缓冲器的输入端连接，以使所述缓冲器采集所述第二MOS管的漏极电压和所述第三MOS管的漏极电压，若所述缓冲器的输出为高电平，则关断所述用电设备；若所述缓冲器的输出为低电平，则开启所述用电设备；

其中，所述第三MOS管与所述第四MOS管的尺寸比例，根据所述第三MOS管与所述第四MOS管的阈值电压一阶温度系数计算获得，其包括：调节第三MOS管和第四MOS管的宽长比，以使缓冲器输出电平发生翻转时的第三MOS管的栅极电压与温度无关，公式为：

其中， 为第三MOS管的宽长比， 为第四MOS管的宽长比，α、β分别为第四MOS管M4和第三MOS管M3的阈值电压一阶温度系数，α、β均为正值。

2.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管、所述第二MOS管为PMOS管、所述第三MOS管为NMOS管、所述第四MOS管为NMOS管。

3.如权利要求1或2任一项所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第一MOS管为增强型PMOS管、所述第二MOS管为增强型PMOS管、所述第三MOS管为增强型NMOS管、所述第四MOS管为耗尽型NMOS管。

4.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述电阻模块还包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述第二电阻的另一端连接，所述第三电阻的另一端接地。

5.如权利要求4所述的欠压保护电路，其特征在于，还包括第五MOS管，所述第五MOS管的源极与所述第三电阻的另一端连接，所述第五MOS管的漏极与所述第三电阻的一端连接，所述第五MOS管的栅极与所述缓冲器的输出端连接；

所述第五MOS管导通时，所述第三电阻不接入所述欠压保护电路中；所述第五MOS管关断时，所述第三电阻接入所述欠压保护电路中，以提供电压迟滞。

6.如权利要求5所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第五MOS管为增强型NMOS管。

7.如权利要求6所述的欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保护电路的解除锁定阈值电压的计算公式为：

VH＝VG(R1+R2)/R2；

所述欠压保护电路的锁定阈值电压的计算公式为：VL＝VG(R1+R2+R3)/(R2+R3)；

所述欠压保护电路的迟滞电压的计算公式为：VHYS＝VH‑VL＝VG(R1/R2‑R1/(R2+R3))；

其中，VH表示欠压保护电路的解除锁定阈值电压，VL表示欠压保护电路的锁定阈值电压，VHYS表示迟滞电压，VG表示缓冲器输出电平发生翻转时的第三MOS管的栅极电压，R1、R2、R3分别表示第一电阻、第二电阻和第三电阻的阻值。