1.一种温度补偿型欠压保护电路，其特征在于，包括：电阻R1、电阻R2、接地电阻R3、NMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3和缓冲器B1；

所述电阻R1的一端分别与PMOS管M2的栅极和PMOS管M2的源极连接，并作为温度补偿型欠压保护电路的电源VDD端，其另一端分别与电阻R2的一端和NMOS管M3的栅极连接；所述PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M3的漏极和缓冲器B1的输入端连接；所述NMOS管M1的漏极分别与电阻R2的另一端和接地电阻R3连接，其栅极与缓冲器B1的输出端连接，并作为温度补偿型欠压保护电路的输出端UVLO，其源极接地；所述NMOS管M3的源极接地；

温度补偿型欠压保护电路中根据输出端UVLO临界状态方程组，设置PMOS管M2和NMOS管M3的宽长比，其中，输出端UVLO临界状态方程组为：输出端UVLO临界状态方程组为：

VHYS＝VH‑VL＝VG(R1/R2‑R1/(R2+R3))  (1)VL＝VG(R1+R2+R3)/(R2+R3)  (2)VH＝VG(R1+R2)/R2  (3)其中，VHYS为迟滞电压，VH为欠压保护开启阈值电压，VL为欠压保护关断阈值电压，R1为电阻R1的电阻值，R2为电阻R2的电阻值，R3为电阻R3的电阻值，VG为输出端UVLO处于临界状态时NMOS管M3的栅极电压，VTH30为T＝T0时NMOS管M3的阈值电压，VTH20为T＝T0时PMOS管M2的阈值电压，μp(T0)为T＝T0时的空穴迁移率，μn(T0)为T＝T0时的电子迁移率， 为PMOS管M2的宽长比， 为NMOS管M3的宽长比，T为热力学温度，T0为某个热力学温度，α为PMOS管M2的阈值电压一阶温度系数，β为NMOS管M3的阈值电压一阶温度系数，λ为电子迁移率的温度指数，π为空穴迁移率的温度指数。

2.根据权利要求1所述的温度补偿型欠压保护电路，其特征在于，所述PMOS管M2为耗尽型PMOS管。

3.根据权利要求1所述的温度补偿型欠压保护电路，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2和接地电阻R3为同类型的电阻。