1.一种光刻胶去除装置，用于去除待加工芯片上的光刻胶，其特征在于，包括：第一喷嘴、第二喷嘴和基座，所述待加工芯片设置于所述基座；所述第一喷嘴和所述第二喷嘴分别位于所述待加工芯片相对的两侧，第一喷嘴朝向待加工芯片的上表面喷洒清洁液；所述第二喷嘴朝向所述待加工芯片的下表面喷洒加热后的氮气以加热所述待加工芯片至预设反应温度；

所述清洁液为硫酸和双氧水的反应液；所述光刻胶去除装置还包括用于存储所述硫酸的硫酸存储器、硫酸加热器以及双氧水存储器；所述硫酸加热器用于将所述硫酸存储器内的硫酸加热至第一预设温度，所述硫酸存储器和所述第一喷嘴管路连接，所述双氧水存储器和所述第一喷嘴管路连接；

所述基座具有用于承托所述待加工芯片的承托面，第二喷嘴和所述待加工芯片的下表面直接对应，在所述承托面上形成多个通槽，在所述通槽的两端或在所述承托面的边缘设置有引流板，用于将排出的氮气向外引流以降低对清洁液的干扰；

所述第二喷嘴的喷射方向对应于所述待加工芯片的中心，或，所述光刻胶去除装置包括多个所述第二喷嘴；多个所述第二喷嘴的喷射方向相对所述待加工芯片的另一侧面呈直线排列，或，所述光刻胶去除装置包括多个所述第二喷嘴；多个所述第二喷嘴的喷射方向相对所述待加工芯片的另一侧面均布排列。

2.如权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述基座包括座体和旋转驱动器；所述待加工芯片设置于所述座体，所述旋转驱动器与所述座体传动连接，用于驱动所述座体旋转以带动所述待加工芯片同步旋转。

3.如权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括氮气存储器和氮气加热器；所述氮气存储器与所述第二喷嘴管路连接，所述氮气加热器用于将所述氮气加热至第二预设温度。

4.如权利要求3所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括传感器和控制器；所述传感器与所述控制器电连接，所述传感器与所述基座对应设置，用于检测所述基座上是否安设有待加工芯片并向所述控制器输出对应的检测信号；所述控制器与所述氮气加热器电连接，用于根据所述检测信号控制所述氮气加热器工作。

5.如权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述第二喷嘴的材质为聚四氟乙烯。

6.如权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述第二喷嘴的开口直径为1至3毫米。