1.高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，将纯度均至少为4N的金属钴、金属铬、金属铁、金属镍，以及纯度至少为4N的金属锂混合均匀后进行多次电弧熔炼，冷却后得到高熵合金母合金；所述金属钴、所述金属铬、所述金属铁、所述金属镍、所述金属锂的原子比为1:1:1:1:(1‑5)；

S2，将制得的所述高熵合金母合金进行均质化处理，冷却后进行冷轧获得高熵合金母合金带材；获得的高熵合金母合金带材的厚度为0.05mm～0.4mm；

S3，去除所述高熵合金母合金带材的表面氧化皮，进行液态去合金化处理或者固态去合金化处理，冷却后获得高熵合金纳米多孔材料；

获得厚度为0.05mm～0.2mm的所述高熵合金母合金带材后步骤S3采用固态去合金化处理；获得厚度为0.2mm～0.4mm的所述高熵合金母合金带材后步骤S3采用液态去合金化处理；

所述液态去合金化处理的过程是将所述高熵合金母合金带材与水混合后进行水热反应；所述水热反应的温度为100℃、反应时间至少为12h；

所述固态去合金化处理的过程是将所述高熵合金母合金带材在真空下焙烧；所述真空 ‑3  ‑3

下焙烧的真空度为1×10 Pa～5×10   Pa，加热温度为600℃～800℃，加热时间至少

12h。

2.根据权利要求1所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述电弧熔炼是在氩气保护下的电弧炉中进行的，所述电弧熔炼的电流为300A～400A，每次所述电弧熔炼的时间为1min～3min，所述电弧熔炼的次数至少为5次；所述电弧熔炼结束采用随炉冷却至室温。

3.根据权利要求1所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述均质化处理是在氩气保护下的高温管式炉中进行的，所述均质化处理的温度为1000℃～

1200℃、时间至少为12h；所述均质化处理后采用水淬冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述冷轧的过程中每道次压下量为0.05mm，总轧制变形量在90％以上。

5.根据权利要求1所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述水热反应中所述高熵合金母合金带材与水的质量比为1:1000；

步骤S3中所述真空下焙烧的过程是将所述高熵合金母合金带材放置在真空管式加热炉中，真空下焙烧结束后在仍在炉中的真空状态下进行冷却至室温。

6.根据权利要求1所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在去合金化处理后将获得的所述高熵合金纳米多孔材料进行超声清洗以及干燥的步骤。

7.根据权利要求6所述的高熵合金纳米多孔材料的制备方法，其特征在于，所述超声清洗的清洗液为水和/或无水乙醇；所述干燥采用真空干燥箱干燥。