1.一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型；

利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素；

根据预测的结果，调节反激式变压器。

2.根据权利要求1所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型这一步骤，具体包括：根据Ansoft Maxwell软件数据库储存的材质图，进行3D建模；

调用预先设置好的边界条件和激励源；

获取坡印廷公式，并在检测到仿真信号时启动运行所述坡印廷公式；

生成所述反激式变压器辐射干扰的仿真模型。

3.根据权利要求1所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体包括：利用所述仿真模型进行模拟仿真实际反激式变压器工作时的电磁能量场；

通过坡印廷公式计算得到场分布仿真图；

根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素。

4.根据权利要求3所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述影响反激式变压器辐射强度的因素包括：反激式变压器的磁芯形状、屏蔽体的形状和屏蔽体的材质。

5.根据权利要求3所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体包括：生成多个不同磁芯形状的反激式变压器模型；

利用所述仿真模型对多个所述不同磁芯形状的反激式变压器模型进行模拟仿真，得到多个场分布仿真图；

对多个所述场分布仿真图进行比较，预测不同磁芯形状对反激式变压器辐射干扰的影响。

6.根据权利要求3所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体还包括：生成多个添加了不同形状屏蔽体的反激式变压器模型；

利用所述仿真模型对多个所述添加了不同形状屏蔽体的反激式变压器模型进行模拟仿真，得到多个场分布仿真图；

对多个所述场分布仿真图进行比较，预测不同形状的屏蔽体对反激式变压器辐射干扰的影响。

7.根据权利要求2所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述根据所述场分布仿真图，预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤，具体还包括：生成多个添加了不同材质屏蔽体的反激式变压器模型；

利用所述仿真模型对多个所述添加了不同材质屏蔽体的反激式变压器模型进行模拟仿真，得到多个场分布仿真图；

对多个所述场分布仿真图进行比较，预测不同材质的屏蔽体对反激式变压器辐射干扰的影响。

8.根据权利要求1所述的一种反激式变压器的调节方法，其特征在于，所述调节反激式变压器具体包括：改变反激式变压器磁芯的形状和/或改变添加的屏蔽体的形状和/或材质。

9.一种反激式变压器的调节系统，其特征在于，包括：模型构建模块，用于基于Maxwell，构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型；

预测模块，用于利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素；

调节模块，用于根据预测的结果，调节反激式变压器。

10.一种存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，其特征在于，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行如权利要求1-8任一项所述的反激式变压器的调节方法。