1.一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：a. 清洗硅片：将硅片浸泡于分析纯丙酮中，常温条件下浸泡3min，将丙酮浸泡过的硅片放入盛有去离子水的超声波容器中，清洗10 min；然后浸泡于盛有去离子水的超声波容器中，清洗5～10min，得到表面清洁的硅片，最后用氮气将表面清洁的硅片吹干，保存在干燥器内；

b. 硅片刻蚀：在室温下将步骤a的硅片直接浸入蚀刻剂中进行刻蚀；

c. 硅片干燥：在氮气保护下，将步骤b的硅片在100～150℃条件下，退火2～3 h，空冷至常温，放入干燥箱；

d. Au箔制备：在步骤c的硅片表面采用射频功率200W、真空度0.4～1.0Pa、Ar气氛条件下，蒸发金靶材8～10min；然后在350～450℃条件下，退火1.5～2.0h，空冷至常温；

e. Au纳米锥制备：将步骤d的硅片用玻璃刀在其底部1/3处切断，向另外一侧缓慢撕开Au箔。

2.如权利要求1所述的一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于，步骤a中硅片尺寸为1*1～3*3 cm、晶向为111。

3.如权利要求1所述的一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于，步骤a中在将丙酮浸泡过的硅片放入盛有去离子水的超声波容器中之前，先用CP4A洗液对超声波处理过的硅片进行表面划痕处理至表面粗糙度小于1nm；再将经划痕处理后硅片放入7%氢氟酸水溶液中，浸泡10～15 min，最后将氢氟酸水溶液处理后的硅片浸泡于盛有去离子水的超声波容器中清洗。

4.如权利要求1所述的一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于，步骤b中蚀刻剂为氢氟酸与双氧水的水溶液，三者的体积比为HF:H2O2:H2O=1:5:

10，刻蚀时间为2～4min。

5.如权利要求1所述的一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于，步骤d 中在硅片表面沉积的Au箔的厚度为80～100nm。

6.如权利要求1所述的一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法，其特征在于，在步骤e 的撕开过程中使用微动台辅助，撕开速度控制在1～5mm/min。