1.一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）预抛光：将硅研磨片浸入APM溶液中，进行超声波辅助清洗，得到表面带有一层二氧化硅薄膜的预抛光片；

（2）表面涂胶：在预抛光片表面涂抹一层可光固化的碱性水凝胶，经紫外光固化之后在预抛光片得到一层碱性交联水凝胶层；

其中碱性水凝胶层配方如下：甲基丙烯酰胺基明胶10 20份、乙醇钠10 15份、氢氧化六~ ~甲双铵2 5份、三（丙烯酸）硼酸酯1 3份、氟化钾1 3份、羧甲基纤维素钠0.5 3份、表面活性~ ~ ~ ~剂0.5 1份、光引发剂0.1 0.5份以及水100份；

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（3）精细抛光：升温至一定温度，对预抛光片表层进行腐蚀抛光一定时间，然后剥离交联水凝胶层，得到抛光硅片。

2.根据权利要求1所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述步骤（1）中的APM溶液中氨水、双氧水和水的体积比为（5 10）：（1 3）：100。

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3.根据权利要求1或2所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述超声波辅助清洗频率100 150kHz,功率0.1 0.5 W/cm2,时间1 5min。

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4.根据权利要求1所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述步骤（2）中表面活性剂为硬脂酰谷氨酸钠、硬脂酸钠、月桂基磺化琥珀酸单酯二钠或者月桂基磺化琥珀酸单酯二钠中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述步骤（2）中光引发剂为苯基-2,4,6-三甲基苯甲酰基膦酸锂、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦或者1,1'-(亚甲基二-4,1-亚苯基)双[2-羟基-2-甲基-1-丙酮]中的一种。

6.根据权利要求1或4或5所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述步骤（2）中涂抹碱性水凝胶时的温度为0 10℃，紫外光波段为365nm~ ~

405nm，光照时间为10 60s，碱性交联水凝胶层的厚度为5 15mm。

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7.根据权利要求1所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述步骤（3）中在碱性交联水凝胶层上下侧连接电极并通直流电，其中在靠近预抛光片端为负极。

8.根据权利要求7所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，直流电的电压为6 12V，电流强度为0.1 0.5A。

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9.根据权利要求1或7或8所述的一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法，其特征在于，所述抛光温度为55 75℃，抛光时间为100 1200s，抛光结束后使用去离子水冲~ ~洗晶体硅表面。