1.一种电子设备用的高散热铜箔，其特征在于，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120‑125份、石墨烯粉体75‑87份、氧化镉1‑3份、氧化锑2‑4份、三氧化钼1‑3份、铜粉324‑335份、纳米铍2‑4份、纳米氮化铝38‑77份、铝粉55‑60份、硅化镁3‑5份、2

氧化钪1‑3份、纳米钛20‑22份和纳米锆7‑9份；高散热铜箔的热扩散系数93‑97 mm/s，热膨‑6 ‑1胀系数4.97‑5.71 10 /k 。

2.如权利要求1所述的一种电子设备用的高散热铜箔，其特征在于，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120份、石墨烯粉体75份、氧化镉1份、氧化锑2份、三氧化钼1份、铜粉324份、纳米铍2份、纳米氮化铝38份、铝粉55份、硅化镁3份、氧化钪1份、纳米钛20份和纳米锆7份。

3.如权利要求1所述的一种电子设备用的高散热铜箔，其特征在于，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂125份、石墨烯粉体87份、氧化镉3份、氧化锑4份、三氧化钼3份、铜粉335份、纳米铍4份、纳米氮化铝77份、铝粉60份、硅化镁5份、氧化钪3份、纳米钛22份和纳米锆9份。

4.如权利要求1所述的一种电子设备用的高散热铜箔，其特征在于，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂123份、石墨烯粉体80份、氧化镉2份、氧化锑3份、三氧化钼2份、铜粉330份、纳米铍3份、纳米氮化铝50份、铝粉57份、硅化镁4份、氧化钪2份、纳米钛21份和纳米锆8份。

5.一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将铜粉324‑335份、纳米铍2‑4份、纳米氮化铝38‑77份、铝粉55‑60份、硅化镁3‑5份、氧化钪1‑3份、纳米钛20‑22份和纳米锆7‑9份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，2

使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；高散热铜箔的热扩散系数93‑97 mm/s，热膨胀系‑6 ‑1数4.97‑5.71 10 /k ；

2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为900‑1000℃，烧结压力为60‑90Mpa，烧结时间为60‑90分钟，制得胚件，备用；

3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；

4）将石墨烯粉体75‑87份、氧化镉1‑3份、氧化锑2‑4份和三氧化钼1‑3份一起倒入到甲基乙烯基MQ高粘度硅树脂120‑125份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。