1.一种高纯低氧铜粉的制备工艺，其特征在于，包括以下流程：S1：将固体铜金属进行熔融，得到铜金属液；

S2：将铜进行水雾化破碎处理，得到铜粉；

S3：将铜粉进行抗氧化处理；

S4:得到目标铜粉；

所述步骤S2中的水雾化方法包括以下子步骤：A1：将固体铜金属进行熔融，得到金属液；

A2：通过两束对称分布且稳定的水流将金属液进行扁平化处理，形成片状流动的金属液；

A3：对片状的金属液进行震荡处理，使其在两侧水压下呈现平整状态；

A4：通过高压惰性气体气流吹动水和片状金属液，使片状金属破碎化；

A5：对破碎的金属液进行激光切割，得到粒度更低的金属颗粒物。

2.基于权利要求1所述的高纯低氧铜粉的制备工艺的水雾化装置，其特征在于，包括水雾化箱（2），所述水雾化箱（2）从上到下依次设置将熔融的金属液压成片的压片组件、通过高压将水与片状金属液的混合物进行破碎的高压喷气组件以及对破碎后的金属粉末进行再切割的切割组件。

3.根据权利要求2所述的水雾化装置，其特征在于，所述压片组件包括水压腔壳（4），所述水压腔壳（4）固定位于熔融腔（1）的出液嘴（3）外部且包裹出液嘴（3），所述出液嘴（3）处的腔壁的两侧与水压腔壳（4）形成水压腔（42），所述水压腔（42）内部两个容水空间对称分布于出液嘴（3）的两侧，所述容水空间的容积从出液嘴（3）位置到水压腔（42）的出水口位置逐渐变小。

4.根据权利要求3所述的水雾化装置，其特征在于，所述水压腔壳（4）的外部设置两侧设置固定板（43），所述固定板（43）均匀嵌装若干超声波发生器（44），水压腔壳（4）两侧所述固定板（43）关于出液嘴（3）对称设置。

5.根据权利要求2或者4所述的水雾化装置，其特征在于，所述高压喷气组件包括高压气环（5），所述高压气环（5）位于水压腔（42）的下方，所述高压气环（5）上开设多个环布于高压气环（5）的出气嘴，所述高压气环（5）出气嘴的方向与高压气环（5）的轴线之间有夹角。

6.根据权利要求5所述的水雾化装置，其特征在于，所述切割组件包括切割筒（6），所述切割筒（6）位于高压气环（5）的下方，所述切割筒（6）与高压气环（5）同轴设置，所述切割筒（6）的内壁嵌装多个激光发生器（7）。

7.根据权利要求6所述的水雾化装置，其特征在于，所述切割筒（6）的外壁固定设置安装环（8），所述安装环（8）的外部设置旋转套（9），所述安装环（8）与旋转套（9）通过花键连接，所述切割筒（6）外部设置隔套（14），所述旋转套（9）与隔套（14）旋转连接，所述旋转套（9）的外壁固定设置齿圈（11），所述水雾化箱（2）设置与齿圈（11）啮合的齿轮（12）和驱动齿轮（12）转动的旋转电机（13）。

8.根据权利要求7所述的水雾化装置，其特征在于，所述切割筒（6）的外壁固定设置波浪环（15），所述隔套（14）内侧设置与隔套（14）旋转连接且与波浪环（15）上波浪边相适应的滚轮（16）；

所述安装环（8）的花键端面与旋转套（9）的花键槽壁之间设置弹性件（10）。