1.一种硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、在硅片上制备具有塔尖的微针阵列结构；

S2、在微针阵列结构表面制备pn结；

S3、在硅片上微针阵列结构表面制备金属纳米颗粒，得到硅基贴片。

2.根据权利要求1所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：将硅片置于碱溶液中，通过化学腐蚀工艺在硅片表面制备金字塔结构；

将硅片置于腐蚀液中，通过化学腐蚀修饰形成具有尖锐塔尖的微针阵列结构。

3.根据权利要求2所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：将(100)晶向的硅片置于碱溶液中腐蚀，碱溶液中碱浓度为0.5～10％，反应温度为40～90℃，反应时间为1～60min。

4.根据权利要求3所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述金字塔结构的尺寸为

2～200μm。

5.根据权利要求1所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1前还包括：在硅片表面利用图形曝光、光阻显影、铬层刻蚀步骤形成阵列掩膜。

6.根据权利要求1所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：在微针阵列结构表面通过高温扩散或离子注入方式制备pn结，pn结表面的方块电阻为

10～1000ohm/方块。

7.根据权利要求1所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒为Ag纳米颗粒。

8.根据权利要求7所述的硅基贴片的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：将硅片放入到浓度为AgNO3的水溶液或含有AgNO3的氢氟酸溶液中反应，AgNO3的浓度为

0.0005mol/L～5mol/L，反应温度为25～90℃，反应时间为1min～30min，Ag离子被还原生成Ag纳米颗粒附着在微针阵列结构表面，得到硅基贴片。

9.一种硅基贴片，其特征在于，所述硅基贴片通过权利要求1～8中任一项所述的制备方法制备而得。