1.一种新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400；其中，所述新型侧向pn结光电探测器的第一电极同所述p型slab区导通连接，所述新型侧向pn结光电探测器的第二电极同所述n型slab区导通连接；所述新型侧向pn结光电探测器的I‑Si区设于所述p型slab区和所述n型slab区之间；所述新型侧向pn结光电探测器的I‑Ge区覆盖于所述I‑Si区，且所述I‑Ge区的两侧分别延伸至所述p型slab区和所述n型slab区；

所述I‑Ge区与所述p型slab区的贴合部为第一贴合区，所述I‑Ge区与所述n型slab区的贴合部为第二贴合区；所述第一电极与所述p型slab区的贴合部为第三贴合区，所述第二电极与所述n型slab区的贴合部为第四贴合区；沿由所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述p型slab区的导通长度为所述第一贴合区的中心位置与所述第三贴合区的中心位置之间的距离；所述n型slab区的导通长度为所述第二贴合区的中心位置与所述第四贴合区的中心位置之间的距离。

2.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.8125。

3.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述I‑Ge区与所述p型slab区的贴合部为第一贴合区，所述I‑Ge区与所述n型slab区的贴合部为第二贴合区；所述第一贴合区和所述第二贴合区二者面积相等。

4.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述I‑Ge区与所述p型slab区的贴合部为第一贴合区，所述I‑Ge区与所述n型slab区的贴合部为第二贴合区；沿由所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述第一贴合区和所述第二贴合区二者的长度相等。

5.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述I‑Ge区与所述p型slab区的贴合部为第一贴合区，所述I‑Ge区与所述n型slab区的贴合部为第二贴合区；所述第一贴合区和所述第二贴合区均呈矩形。

6.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述第一电极垂直于所述p型slab区设置，所述第二电极垂直于所述n型slab区设置。

7.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述第一电极远离所述p型slab区的一端朝远离所述第二电极的一侧延伸，所述第二电极远离所述n型slab区的一端朝远离所述第一电极的一侧延伸。