1.一种具有侧边PN结的复合光电探测器，其特征在于：包括P型衬底， P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱内设有环形N阱，环形N阱中通过光刻、注入磷离子形成环形的N+阳极；环形N阱内设有中心圆形P阱，环形N阱与中心圆形P阱形成侧边二极管的感光结构，中心圆形P阱中设有N型TFET结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有侧边PN结的复合光电探测器，其特征在于：所述N型TFET结构包括中心圆形P阱中从外到内依次设置的环形漏极、环形栅极和中心源极。

3.根据权利要求1所述的一种具有侧边PN结的复合光电探测器，其特征在于：所述P型衬底采用P型材料制作而成，P型材料为在硅中掺入元素周期表中第四族元素制成。

4.根据权利要求1所述的一种具有侧边PN结的复合光电探测器，其特征在于：所述高压深N阱采用N型材料制作而成，N型材料为在硅中掺入元素周期表中第五族元素制成。

5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的一种具有侧边PN结的复合光电探测器的制作方法，包括以下步骤：步骤一：在P型衬底上热生长一层二氧化硅氧化层，用作光电探测器件的栅绝缘层；并在二氧化硅氧化层薄膜上淀积氮化硅层；

步骤二：光刻定义高压深N阱区域；在二氧化硅氧化层上需要进行离子注入的地方去掉氮化硅层，通过轻掺杂的离子注入向P型衬底上注入磷离子Ⅰ，并通过高温退火处理，激活磷离子Ⅰ，在P型衬底上形成高压深N阱；

步骤三：通过第二次光刻，并进行轻掺杂的磷离子Ⅱ的注入，在高压深N阱内形成环形N阱，并通过高温退火 , 激活磷离子Ⅱ；

步骤四：通过第三次光刻，并进行轻掺杂的磞离子Ⅰ的注入，在高压深N阱内形成中心圆形P阱，并通过高温退火 , 激活磞离子Ⅰ；

步骤五：通过第四次光刻，在中心圆形P阱上形成环形栅极；

步骤六：通过第五次光刻，在中心圆形P阱上和环形N阱进行重掺杂的磞离子Ⅱ的注入，在中心圆形P阱上形成环形漏极和在N阱上形成N+阳极108，并通过高温退火处理，激活磞离子；

步骤七：通过第六次光刻，在中心圆形P阱上进行重掺杂的磷离子Ⅲ的注入，在中心圆形P阱内形成中心源极，并通过高温退火处理，激活磷离子Ⅲ。