1.一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料，其特征在于，该微波介质陶瓷材料成分为Li2CO3、Yb2O3、SiO2，所述微波介质陶瓷材料成分按LiYbSiO4化学计量比进行配比，所述微波介质陶瓷材料的介电常数εr范围为7.36～7.42，品质因数Qf的范围为19081～25276GHz，谐振频率温度系数为+4.52ppm/℃～+8.03ppm/℃，所述微波介质陶瓷材料通过固相反应烧结法获得，具体操作如下：

(1)以Li2CO3、Yb2O3、以及SiO2为原料，先将Yb2O3在1000℃预烧2小时，然后将这些原料按照LiYbSiO4化学计量比进行配比称量；

(2)将步骤(1)称量好的原料、二氧化锆球磨珠、无水乙醇按照1:2:2.5的质量比置于球磨罐中，再把球磨罐置于行星球磨机中进行球磨，球磨6小时；球磨后将泥浆状原料烘干，得到原料混合物粉体；

(3)将步骤(2)烘干得到的混合物粉体压制成块状体，在1000℃～1050℃煅烧4小时，使原料混合物样品初步反应得到样品烧块；

(4)将步骤(3)中初步反应得到的样品烧块研磨成粉体，再将粉体、二氧化锆球磨珠、无水乙醇按照1:3:2的质量比放入球磨罐并置于行星球磨机中进行球磨，球磨8小时，形成粒径细化的浆料，然后烘干得到干燥的粉料；

(5)将步骤(4)烘干得到的粉料加入粘合剂聚乙烯醇(PVA)，混合均匀后先过60目标准筛，再过120目标准筛，获得颗粒分散均匀，粒径细化的粉料，粉料分为两部分备用；

(6)将步骤(5)其中一部分粉料制作成圆柱体，具体操作为将粉料置于模具中于250MPa压力下压制成圆柱体；

(7)将步骤(6)压制成型的圆柱体置于坩埚内，用步骤(5)另一部分的粉料作为埋烧粉料倒入坩埚内，使得粉料包裹并覆盖圆柱体，再将坩埚放进高温炉中，以3℃/min的速度升温至550℃，保温1h以除去粘合剂PVA，然后直接以5℃/min的速度从550℃升温至1100℃～

1140℃烧结6小时成瓷，随炉冷却后从坩埚内取出样品，得到硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料。

2.一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以Li2CO3、Yb2O3、以及SiO2为原料，先将Yb2O3在1000℃预烧2小时，然后将这些原料按照LiYbSiO4化学计量比进行配比称量；

(2)将步骤(1)称量好的原料、二氧化锆球磨珠、无水乙醇按照1:2:2.5的质量比置于球磨罐中，再把球磨罐置于行星球磨机中进行球磨，球磨6小时；球磨后将泥浆状原料烘干，得到原料混合物粉体；

(3)将步骤(2)烘干得到的混合物粉体压制成块状体，在1000℃～1050℃煅烧4小时，使原料混合物样品初步反应得到样品烧块；

(4)将步骤(3)中初步反应得到的样品烧块研磨成粉体，再将粉体、二氧化锆球磨珠、无水乙醇按照1:3:2的质量比放入球磨罐并置于行星球磨机中进行球磨，球磨8小时，形成粒径细化的浆料，然后烘干得到干燥的粉料；

(5)将步骤(4)烘干得到的粉料加入粘合剂聚乙烯醇(PVA)，混合均匀后先过60目标准筛，再过120目标准筛，获得颗粒分散均匀，粒径细化的粉料，粉料分为两部分备用；

(6)将步骤(5)其中一部分粉料制作成圆柱体，具体操作为将粉料置于模具中于250MPa压力下压制成圆柱体；

(7)将步骤(6)压制成型的圆柱体置于坩埚内，用步骤(5)另一部分的粉料作为埋烧粉料倒入坩埚内，使得粉料包裹并覆盖圆柱体，再将坩埚放进高温炉中，以3℃/min的速度升温至550℃，保温1h以除去粘合剂PVA，然后直接以5℃/min的速度从550℃升温至1100℃～

1140℃烧结6小时成瓷，随炉冷却后从坩埚内取出样品，得到硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料。

3.如权利要求2所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述Li2CO3的纯度为99.99％。

4.如权利要求2所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述Yb2O3的纯度为99.99％。

5.如权利要求2所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述SiO2的纯度为99.99％。

6.如权利要求2-5任一所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述球磨的转速为200r/min。

7.如权利要求2-5任一所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为5wt％的聚乙烯醇溶液(PVA)。

8.如权利要求2-5任一所述的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述圆柱体直径为10～11mm、厚度为6～7mm。