1.一种硅片清洗装置，包括清洗装置本体，其特征在于，所述清洗装置本体包括设置在一端的进料口和设置在另一端的出料口，所述清洗装置本体的底部配合设置有缓震底座，清洗装置本体的一侧设置有操作平台，操作平台与清洗装置本体之间平行设置，所述清洗装置本体的四周还配合设置有挡板；所述清洗装置本体由若干组独立的清洗机构及配合清洗机构设置的烘干机构组成，若干组独立的清洗机构自进料口处到出料口依次按顺序排布设置，所述烘干机构设置在最后一道清洗机构的前一道工序；所述清洗装置本体还配合设置有操作面板，所述清洗装置本体的四周及操作平台上还配合设置有防护栏，所述清洗机构和烘干机构上还设置有运输装置。

2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述清洗机构从进料口处到出料口处依次设置有六组并设定编号为第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构、第五清洗机构和第六清洗机构；所述烘干机构设置有一组，所述烘干机构设置在第五清洗机构和第六清洗机构之间。

3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述运输装置从第一清洗机构经过烘干机构一直延续到第六清洗机构上；运输装置从进料口处到出料口处分别独立设置有若干组分段运输机构，若干组分段运输机构之间无缝衔接。

4.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述第一清洗机构包括第一抽吸箱体，第一抽吸箱体的底部设置有第一抽吸管道，所述第一抽吸管道位于第一抽吸箱体中间的位置并在与第一抽吸箱体连接处的位置设置有喇叭口；所述分段运输机构悬空架在第一抽吸箱体的上面。

5.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述第二清洗机构和第四清洗机构分别为低频声波浸泡机构和高频声波浸泡机构，所述第二清洗机构和第四清洗机构分别包括升降机构，配合升降机构设置的升降台，配合升降台设置的浸泡箱体，设置在浸泡箱体两侧的滑轨，所述升降台通过滑轨进行上下移动；所述升降台呈L形设置，升降台包括纵向臂和横向臂，纵向臂和横向臂之间设置有加强筋，横向臂上设置有分段运输机构。

6.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述第三清洗机构、第五清洗机构包括第三清洗箱体和第五清洗箱体，分别配合第三清洗箱体和第五清洗箱体设置的大功率抽吸管道，大功率抽吸管道的开口朝上设置。

7.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述烘干机构包括烘干箱体，设置在烘干箱体内部的烘干管道，设置在烘干箱体下部的液体盛放箱体，烘干箱体和液体盛放箱体之间设置有分段运输机构，烘干管道呈360°设置并放置在烘干箱体内。

8.根据权利要求2所述的一种硅片清洗装置，其特征在于：所述第六清洗机构包括的第六清洗箱体，设置有第六清洗箱体内的喷吹管道，所述喷吹管道配合设置有若干组喷吹小孔；所述喷吹管道和第六清洗箱体之间以斜面连接，所述斜面上布满有喷吹小孔。

9.根据权利要求1-8所述的一种利用硅片清洗装置进行清洗的清洗方法，其特征在于：

包括

步骤一：将盛放有待清洗的硅片放置篮从进料口处放入到清洗装置本体中的分段运输机构中，并依次通过第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构、第五清洗机构、烘干机构和第六清洗机构；

步骤二：经过第一清洗机构上的分段运输机构时，第一抽吸箱体的第一抽吸管道启动抽吸工作，抽吸时，将硅片放置篮中的待清洗硅片上的浮灰及附着物抽吸进行抽吸干净，该过程持续1-2min；

步骤三：再运输到第二清洗机构上，硅片放置篮位于升降台中间时，升降台开始下降并进入到浸泡箱体中进行低频声波浸泡而且升降台不断的进行上下移动，提高浸泡效率；

步骤四：完成步骤三之后，再移动到第三清洗机构上的分段运输机构上，通过大功率抽吸管道的抽吸，对经过低频浸泡过的硅片放置篮进行抽吸，将浸泡液体抽吸干净；

步骤五：再移动到第四清洗机构上，移动到升降台中间时，升降台下降进入到浸泡箱体中进行高频声波浸泡同时升降台通过升降机构不断的进行上下移动，将硅片上的顽固污渍溶解；

步骤六：完成步骤五后，硅片放置篮移动到第五清洗机构上再进行大功率抽吸管道的抽吸，对经过高频浸泡的硅片进行抽吸，将上个步骤的液体抽吸干净，避免形成交叉污染；

步骤七：抽吸干净的硅片再朝前运输，进入到烘干机构中的烘干箱体内，关闭烘干箱体的前后门体进行烘干，烘干管道实现360°环绕着硅片放置篮，进而全方位的进行烘干工作；

步骤八：烘干结束的硅片放置篮再进入到的第六清洗机构处，通过设置在第六清洗箱体下面的若干组喷吹小孔进行喷吹，喷吹小孔呈各个不同的方向进行喷吹，充分的实现硅片完全清洁化，提高清洗的可靠性；

步骤九：第一清洗机构、第二清洗机构、第三清洗机构、第四清洗机构、第五清洗机构、烘干机构和第六清洗机构源源不断的同时工作。

10.根据权利要求9所述的一种利用硅片清洗装置进行清洗的清洗方法，其特征在于：

所述步骤四中的低频控制在10-20KHz之间，步骤六中的高频率控制在40-60KHz之间。